| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-41页 |
| ·GaAs材料的特性 | 第10-13页 |
| ·异质结双极晶体管(HBT)概述 | 第13-23页 |
| ·HBT的特点 | 第14-17页 |
| ·HBT的工作原理 | 第17-18页 |
| ·HBT的基本特性 | 第18-23页 |
| ·不同材料系统的HBT | 第23-30页 |
| ·SiGe HBT | 第23-25页 |
| ·AlGaAs／GaAs HBT | 第25-26页 |
| ·GaInP／GaAs HBT | 第26-27页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT | 第27-28页 |
| ·InGaAs／InP HBT | 第28-30页 |
| ·HBT在高温／高功率中的应用 | 第30-32页 |
| ·论文的研究目的及内容 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-41页 |
| 第二章 HBT器件欧姆接触特性的研究 | 第41-72页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·欧姆接触理论 | 第42-46页 |
| ·金属-半导体接触 | 第42-43页 |
| ·电流传输机理 | 第43-44页 |
| ·输运方程 | 第44-46页 |
| ·欧姆接触电阻的计算公式 | 第46页 |
| ·比接触电阻的测试方法 | 第46-48页 |
| ·欧姆接触的制作工艺 | 第48-49页 |
| ·Ti／W／Ti／Au与HBT发射极n-GaAs的欧姆接触 | 第49-54页 |
| ·实验 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-54页 |
| ·结论 | 第54页 |
| ·Mo／W／Ti／Au与HBT发射极n-GaAs的欧姆接触 | 第54-67页 |
| ·实验 | 第55页 |
| ·表面处理对电学性能的影响 | 第55-58页 |
| ·结构特性研究 | 第58-67页 |
| ·结论 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第三章 HBT器件的设计制作与模型 | 第72-94页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·HBT的器件结构与制作 | 第72-77页 |
| ·HBT的器件模型 | 第77-85页 |
| ·理想HBT的输运机理 | 第79-81页 |
| ·HBT的复合电流 | 第81-83页 |
| ·HBT的BC结反向电流 | 第83-85页 |
| ·HBT的自加热效应与温度分布 | 第85-91页 |
| ·HBT的自加热效应 | 第85-87页 |
| ·HBT的温度分布 | 第87-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第四章 AlGaInP／GaAs HBT的直流特性及高温特性 | 第94-116页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT的特点 | 第94-95页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT的设计 | 第95-101页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT的直流特性 | 第101-107页 |
| ·输出特性曲线 | 第101-106页 |
| ·Gummel图 | 第106-107页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT的高温特性 | 第107-112页 |
| ·输出特性曲线 | 第108-109页 |
| ·发射结二极管特性 | 第109-110页 |
| ·集电结二极管特性 | 第110-111页 |
| ·比接触电阻 | 第111-112页 |
| ·小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第五章 结论 | 第116-118页 |
| 发表文章目录 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 作者简历 | 第121页 |
