| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-43页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·纳米技术的基本内涵 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的发展过程 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的特性 | 第14-16页 |
| ·小尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·表面效应 | 第15页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16页 |
| ·一维、准一维纳米材料的研究 | 第16-26页 |
| ·碳纳米管的研究 | 第16-19页 |
| ·一维纳米线(纳米棒)的研究 | 第19-26页 |
| ·本文选题依据、主要研究内容及成果 | 第26-30页 |
| ·选题依据 | 第26-28页 |
| ·SiC、GaN基本特性 | 第26-28页 |
| ·Ga_2O_3基本特性 | 第28页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第28-29页 |
| ·本文的主要创新研究成果 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-43页 |
| 第2章 β-SiC纳米线和同轴纳米电缆的合成及光学性能研究 | 第43-68页 |
| ·前言 | 第43-44页 |
| ·试验用原料、合成工艺及分析方法 | 第44-47页 |
| ·原材料及球磨处理 | 第44页 |
| ·大量无包覆β-SiC纳米线的合成工艺 | 第44-45页 |
| ·非晶SiO_2包覆β-SiC同轴纳米电缆的合成工艺 | 第45-46页 |
| ·分析方法 | 第46-47页 |
| ·试验结果及分析 | 第47-64页 |
| ·工艺参数确定 | 第47-48页 |
| ·β-SiC纳米线及带非晶包覆β-SiC同轴纳米电缆的形貌分析 | 第48-49页 |
| ·β-SiC纳米线及带非晶包覆β-SiC同轴纳米电缆的化学组成 | 第49-50页 |
| ·β-SiC纳米线及带非晶包覆β-SiC同轴纳米电缆的微观结构分析 | 第50-57页 |
| ·β-SiC纳米线及带非晶包覆β-SiC同轴纳米电缆形成机理讨论 | 第57-60页 |
| ·β-SiC纳米线及带非晶包覆β-SiC同轴纳米电缆的拉曼(Raman)光谱特性 | 第60-62页 |
| ·β-SiC纳米线及带非晶包覆β-SiC同轴纳米电缆的的荧光光谱(Fluorescence)特性 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第3章 大面积定向SiC纳米线阵列的合成 | 第68-82页 |
| ·前言 | 第68-69页 |
| ·合成工艺 | 第69-70页 |
| ·多孔Al_2O_3基片的合成工艺 | 第69-70页 |
| ·大面积定向SiC纳米线阵列的合成工艺 | 第70页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第70-78页 |
| ·合成工艺参数的确定 | 第70-72页 |
| ·Al_2O_3基片及定向SiC纳米线阵列的微观形貌及化学组成 | 第72-75页 |
| ·定向SiC纳米线阵列的组织、微观结构分析 | 第75-78页 |
| ·定向β-SiC纳米线阵列生长机理讨论 | 第78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第4章 大面积SiC纳米线网的合成研究 | 第82-92页 |
| ·前言 | 第82-83页 |
| ·试验方法 | 第83-84页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第84-89页 |
| ·大面积SiC纳米线网的微观形貌及化学组成 | 第84-86页 |
| ·大面积SiC纳米线网的微观结构分析 | 第86-87页 |
| ·大面积SiC纳米线网的合成工艺确定及形成机理讨论 | 第87-89页 |
| ·本章小节 | 第89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第5章 GaN纳米环、纳米带和纳米线的合成及拉曼特性研究 | 第92-109页 |
| ·前言 | 第92-94页 |
| ·试验方法 | 第94-96页 |
| ·基片上催化剂纳米颗粒的制备 | 第94-95页 |
| ·低维GaN纳米材料的制备 | 第95-96页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第96-105页 |
| ·带有Ag纳米颗粒基片及三种不同形貌GaN纳米材料的微观形貌及化学组成 | 第96-100页 |
| ·三种不同形貌GaN纳米材料的晶体结构分析 | 第100-101页 |
| ·三种不同形貌GaN纳米材料的形成机理讨论 | 第101-103页 |
| ·不同形貌GaN纳米材料的Raman光谱特性 | 第103-105页 |
| ·本章小节 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第6章 规则排列GaN纳米棒阵列的合成研究 | 第109-121页 |
| ·前言 | 第109-110页 |
| ·试验方法 | 第110-111页 |
| ·MgO单晶基片的处理方法 | 第110-111页 |
| ·规则排列GaN纳米棒阵列的合成工艺 | 第111页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第111-118页 |
| ·刻蚀后基片及规则排列GaN纳米棒阵列的微观形貌及化学组成 | 第111-116页 |
| ·规则排列GaN纳米棒阵列的微观结构分析 | 第116-118页 |
| ·本章小节 | 第118页 |
| 参考文献 | 第118-121页 |
| 第7章 GaN纳米镊子的合成研究 | 第121-133页 |
| ·前言 | 第121-122页 |
| ·试验方法 | 第122-123页 |
| ·立方MgO单晶基片的化学刻蚀方法 | 第122-123页 |
| ·GaN纳米镊子的制备工艺 | 第123页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第123-129页 |
| ·基片及GaN纳米镊子的微观形貌及化学组成 | 第123-125页 |
| ·GaN纳米镊子的微观结构分析 | 第125-128页 |
| ·GaN纳米镊子的形成机理讨论 | 第128-129页 |
| ·GaN纳米镊子的光致发光特性 | 第129页 |
| ·本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第8章 在刻蚀及未刻蚀的MgO单晶基片上合成β-Ga_2O_3纳米线的研究 | 第133-144页 |
| ·前言 | 第133-134页 |
| ·试验方法 | 第134-136页 |
| ·MgO单晶基片的处理方法 | 第134-135页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的合成方法 | 第135页 |
| ·试样表征方法 | 第135-136页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的结果分析 | 第136-141页 |
| ·大量β-Ga_2O_3纳米线的表征及分析 | 第136-137页 |
| ·桥连于金属Ag催化剂岛的β-Ga_2O_3纳米线的表征及分析 | 第137-141页 |
| ·本章小节 | 第141页 |
| 参考文献 | 第141-144页 |
| 第9章 结论 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 攻读博士论文期间发表的学术论文及获奖 | 第147-149页 |
