| 第一章 概述 | 第1-24页 |
| 1．1 光电导开关概述 | 第13-15页 |
| 1．2 超快光电导开关的应用概述 | 第15-22页 |
| 1．2．1 超短电磁脉冲发生源 | 第15-19页 |
| 1．2．2 功率脉冲技术 | 第19-22页 |
| 1．3 本文涉及的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 1．4 小结 | 第23-24页 |
| 第二章 半绝缘GaAs光电导开关对触发光的吸收机制 | 第24-42页 |
| 2．1 半导体对光的吸收 | 第25-28页 |
| 2．2 本征吸收 | 第28-30页 |
| 2．3 激子吸收和激子离解 | 第30-34页 |
| 2．3．1 激子能级 | 第31-32页 |
| 2．3．2 激子的形成 | 第32页 |
| 2．3．3 激子的离解 | 第32-34页 |
| 2．4 与EL2能级有关的光子吸收过程 | 第34-41页 |
| 2．4．1 用1064nm激光脉冲触发开关实验 | 第34-35页 |
| 2．4．2 用1064nm激光脉冲触发开关实验结果初步分析 | 第35-36页 |
| 2．4．3 GaAs中的EL2能级 | 第36-38页 |
| 2．4．4 GaAs中与EL2能级有关的单光子吸收过程 | 第38-40页 |
| 2．4．5 GaAs中非线性光学效应—双光子吸收过程 | 第40-41页 |
| 2．5 小结 | 第41-42页 |
| 第三章 EL2能级与SI-GaAs光电导开关工作模式关系 | 第42-60页 |
| 3．1 半绝缘砷化镓光电导开关的工作基本原理 | 第42-45页 |
| 3．2 光电导开关的工作模式 | 第45-50页 |
| 3．2．1 线性工作模式 | 第46页 |
| 3．2．2 非线性工作模式 | 第46-47页 |
| 3．2．3 非线性工作模式和线性工作模式的比较 | 第47-49页 |
| 3．2．4 GaAs光电导开关的复合工作模式 | 第49-50页 |
| 3．3 GaAs中的EL2能级与开关工作模式的关系 | 第50-58页 |
| 3．3．1 EL2能级和线形工作模式的关系 | 第51-52页 |
| 3．3．2 EL2能级和非线形工作模式的关系 | 第52-54页 |
| 3．3．3 EL2能级和复合工作模式的关系 | 第54-58页 |
| 3．4 小结 | 第58-60页 |
| 第四章 光电导开关产生超短电脉冲实验研究 | 第60-77页 |
| 4．1 用于产生超短电脉冲的光电导开关结构 | 第61-63页 |
| 4．2 超快光电导材料和触发光的选择 | 第63-68页 |
| 4．2．1 光电导材料的灵敏度和弛豫时间 | 第63-66页 |
| 4．2．2 光电导开关材料选择 | 第66-67页 |
| 4．2．3 触发光源选择 | 第67-68页 |
| 4．3 开关电极 | 第68-71页 |
| 4．3．1 电极形状与丝状电流 | 第68-70页 |
| 4．3．2 电极的欧姆接触 | 第70页 |
| 4．3．3 开关电极间隙 | 第70-71页 |
| 4．4 发射和接收天线 | 第71-73页 |
| 4．5 发射和接收实验结果与讨论 | 第73-76页 |
| 4．5．1 通态电阻与偏置电压及触发光能关系曲线测试 | 第73-74页 |
| 4．5．2 传输效率与触发光能关系曲线测试 | 第74-75页 |
| 4．5．3 频谱分析 | 第75-76页 |
| 4．6 小结 | 第76-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-79页 |
| 5．1 全文总结 | 第77-78页 |
| 5．2 展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 在读期间发表的论文 | 第86-87页 |
