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Si3N4(Si2ON2)-SiC复合材料中结合相的研究

一 绪论第1-23页
 1.1 Si_3N_4(Si_2ON_2)-SiC复合材料的相关系研究基础第12-14页
  1.1.1 SiC的结晶学第12-13页
  1.1.2 Si_3N_4的结晶学第13-14页
  1.1.3 Si_2ON_2的结晶学第14页
 1.2 Si_3N_4(Si_2ON_2)-SiC显微结构的形成与发展第14-17页
 1.3 Si_3N_4(Si_2ON_2)-SiC复合材料的优异性能及其应用第17-20页
  1.3.1 Si_3N_4(Si_2ON_2)-SiC复合材料的性能第17-18页
  1.3.2 Si_3N_4(Si_2ON_2)-SiC复合材料的应用第18-20页
 1.4 Si_3N_4(Si_2ON+_2)-SiC复合材料的制备方法简介第20-21页
  1.4.1 Si的直接氮化法第20-21页
  1.4.2 SiO_2碳热还原氮化第21页
 1.5 本课题的研究思路、内容及意义第21-23页
二 实验原理及方法第23-27页
 2.1 原料第23页
 2.2 实验装置第23-24页
 2.3 实验工艺流程第24页
 2.4 检测第24-27页
三 实验结果与讨论第27-68页
 3.1 Si_3N_4-SiC复合材料第27-53页
  3.1.1 烧结助剂的引入量对Si_3N_4-SiC复合材料性能的影响第27-30页
   3.1.1.1 烧结助剂的引入量对Si_3N_4-SiC复合材料强度与密度的影响第28-29页
   3.1.1.2 烧结助剂的引入量对Si_3N_4-SiC复合材料物相的影响第29页
   3.1.1.3 烧结助剂的引入量对Si_3N_4-SiC复合材料显微结构的影响第29-30页
  3.1.2 Si加入量对Si_3N_4-SiC复合材料性能的影响第30-33页
   3.1.2.1 Si加入量对Si_3N_4-SiC复合材料强度与密度的影响第30-31页
   3.1.2.2 Si加入量对Si_3N_4-SiC复合材料物相的影响第31-32页
   3.1.2.3 Si加入量对Si_3N_4-SiC复合材料显微结构的影响第32-33页
  3.1.3 SiC颗粒级配对Si_3N_4-SiC复合材料性能的影响第33-37页
   3.1.3.1 SiC颗粒级配对Si_3N_4-SiC复合材料强度与密度的影响第34-35页
   3.1.3.2 SiC颗粒级配对Si_3N_4-SiC复合材料物相的影响第35-36页
   3.1.3.3 SiC颗粒级配对Si_3N_4-SiC复合材料显微结构的影响第36-37页
  3.1.4 氮化制度对Si_3N_4-SiC复合材料性能的影响第37-44页
   3.1.4.1 氮化制度对Si_3N_4-SiC复合材料强度与密度的影响第39-40页
   3.1.4.2 氮化制度对Si_3N_4-SiC复合材料物相的影响第40-42页
   3.1.4.3 氮化制度对Si_3N_4-SiC复合材料显微结构的影响第42-44页
  3.1.5 Si_3N_4-SiC复合材料抗热震性能的初步研究第44-47页
  3.1.6 Si_3N_4-SiC形成机理第47-52页
  3.1.7 小结第52-53页
 3.2 Si_2ON_2-SiC复合材料第53-68页
  3.2.1 烧结助剂的引入量对Si_2ON_2-SiC复合材料性能的影响第53-57页
   3.2.1.1 烧结助剂的引入量对Si_2ON_2-SiC复合材料强度与密度的影响第54-55页
   3.2.1.2 烧结助剂的引入量对Si_2ON_2-SiC复合材料物相的影响第55-56页
   3.2.1.3 烧结助剂的引入量对Si_2ON_2-SiC复合材料显微结构的影响第56-57页
  3.2.2 Si粉加入量对Si_2ON_2-SiC复合材料性能的影响第57-60页
   3.2.2.1 Si粉加入量对Si_2ON_2-SiC复合材料强度与密度的影响第57-58页
   3.2.2.2 Si粉加入量对Si_2ON_2-SiC复合材料物相的影响第58-59页
   3.2.2.3 Si粉加入量对Si_2ON_2-SiC复合材料显微结构的影响第59-60页
  3.2.3 氮化制度对Si_2ON_2-SiC复合材料性能的影响第60-65页
   3.2.3.1 氮化制度对Si_2ON_2-SiC复合材料强度与密度的影响第60-62页
   3.2.3.2 氮化制度对Si_2ON_2-SiC复合材料物相的影响第62-63页
   3.2.3.3 氮化制度对Si_2ON_2-SiC复合材料显微结构的影响第63-65页
  3.2.4 Si_2ON_2-SiC复合材料抗热震性能的初步研究第65-67页
  3.2.5 小结第67-68页
四 结论第68-69页
参考文献第69-72页
致谢第72页

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