| 致谢 | 第1-4页 |
| <中文摘要> | 第4-5页 |
| <中文关键词> | 第5-6页 |
| <英文摘要> | 第6-7页 |
| <英文关键词> | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-29页 |
| 第2.1节 半导体激光器 | 第13-17页 |
| 第2.2节 量子级联激光器 | 第17-24页 |
| 第2.3节 分子束外延 | 第24-28页 |
| 第2.4节 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 实验方法和表征技术 | 第29-45页 |
| 第3.1节 材料生长 | 第29-33页 |
| 第3.2节 高分辨X射线衍射 | 第33-38页 |
| 第3.3节 傅立叶变换红外光谱测量 | 第38-44页 |
| 第3.4节 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 量子级联激光器物理 | 第45-108页 |
| 第4.1节 半导体能带理论基础 | 第45-51页 |
| 第4.2节 量子级联激光器中的子能级 | 第51-60页 |
| 第4.3节 量子级联激光器中的光学限制和自由载流子限制 | 第60-67页 |
| 第4.4节 量子级联激光器中参数优化的理论预测 | 第67-75页 |
| 第4.5节 分布反馈量子级联激光器中的耦台系数 | 第75-83页 |
| 第4.6节 量子级联激光器中自发辐射谱和增益谱的计算 | 第83-90页 |
| 第4.7节 λ~5μm和λ~8μm双色量子级联激光器的设计 | 第90-97页 |
| 第4.8节 利用调制超晶格的能量过滤器 | 第97-107页 |
| 第4.9节 小结 | 第107-108页 |
| 第五章 量子级联激光器材料与器件 | 第108-148页 |
| 第5.1节 InGaAs/InAlAs/Inp异质结构中Bragg峰宽 | 第108-116页 |
| 第5.2节 InGaAs／InAlAs／InP错向角的X射线精确测量 | 第116-122页 |
| 第5.3节 InGaAs／lnAlAs单阱与多阱的光致发光研究 | 第122-129页 |
| 第5.4节 高质量InGaAs/InAlAs三阱的生长与表征 | 第129-140页 |
| 第5.5节 量子级联激光器器件 | 第140-147页 |
| 第5.6节 小结 | 第147-148页 |
| 第六章 结论 | 第148-150页 |
| <参考文献> | 第150-160页 |
| 附录 | 第160-168页 |
| 发表论文目录 | 第168-170页 |
| 获奖与科技成果 | 第170-172页 |
| 个人简历 | 第172页 |
