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利用SEM-ECC技术对不同取向铜单晶体疲劳位错结构的研究

中文摘要第1-7页
ABSTRACT第7-11页
第1章 绪论第11-25页
   ·引言第11-12页
   ·研究概况第12-22页
     ·循环硬化行为第12-14页
     ·循环应力-应变响应第14-17页
     ·疲劳极限第17-18页
     ·形变带第18-20页
     ·微观组织结构观察第20-22页
   ·本论文研究意义、目的及内容第22-25页
第2章 实验方法第25-29页
   ·样品制备第25页
   ·循环变形试验第25页
   ·表面位错结构观察第25-26页
   ·ECC成象原理简介第26-27页
   ·SEM-ECC技术的优越性第27页
   ·SEM-ECC技术的发展和应用第27-29页
第3章 一个特殊单滑移取向铜单晶体的疲劳位错结构观察第29-37页
   ·引言第29页
   ·结果与讨论第29-36页
     ·循环应力-应变行为第29-30页
     ·微观位错组态的SEM-ECC观察第30-35页
     ·PSB微观组态随塑性应变幅增大的演变第35-36页
   ·本章小结第36-37页
第4章 双滑移取向铜单晶体的疲劳位错结构观察第37-55页
   ·引言第37页
   ·结果与讨论第37-53页
     ·循环应力-应变行为第37-39页
     ·饱和位错结构的SEM-ECC观察第39-52页
     ·形变带内微观位错结构的影响因素第52-53页
   ·本章小结第53-55页
第5章 [111]多滑移取向铜单晶体的疲劳位错结构观察第55-65页
   ·引言第55-56页
   ·结果与讨论第56-63页
     ·循环硬化及饱和第56-57页
     ·饱和位错结构的SEM-ECC观察第57-63页
   ·本章小结第63-65页
第6章 全文总结第65-67页
参考文献第67-75页
致谢第75-77页
攻读硕士学位期间发表的论文第77页

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