氧化硅薄膜制备的等离子体在线诊断
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一篇 综述 | 第9-25页 |
| 第一章 等离子体基础知识 | 第9-13页 |
| ·等离子体概念 | 第9页 |
| ·等离子体的产生方式 | 第9-10页 |
| ·等离子体的应用领域 | 第10-11页 |
| ·等离子体参数和诊断 | 第11页 |
| ·等离子体化学气相沉积的发展趋势 | 第11-13页 |
| 第二章 氧化硅薄膜的制备及研究 | 第13-18页 |
| ·氧化硅的性能及应用 | 第13-15页 |
| ·氧化硅薄膜制备方法 | 第15-18页 |
| 第三章 等离子体诊断技术 | 第18-23页 |
| ·等离子体诊断理论和概念 | 第18-19页 |
| ·等离子体在线诊断的应用现状及发展趋势 | 第19页 |
| ·低气压氧化硅薄膜沉积的诊断及反应机理研究 | 第19-23页 |
| 第四章 课题概述 | 第23-25页 |
| ·本论文的目的及意义 | 第23页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二篇 实验原理及内容 | 第25-45页 |
| 第五章 朗缪尔静电探针诊断 | 第25-34页 |
| ·朗缪尔静电探针的工作原理 | 第25-27页 |
| ·郎缪尔静电探针测量的影响因素 | 第27-28页 |
| ·单、双探针Ⅰ-Ⅴ特性曲线及其数据分析 | 第28-34页 |
| 第六章 残余气体分析质谱仪在线诊断 | 第34-39页 |
| ·残余气体分析质谱仪的工作原理 | 第34-35页 |
| ·残余气体分析质谱仪对正离子的检测 | 第35-37页 |
| ·残余气体分析质谱仪对自由基的检测 | 第37页 |
| ·质谱分析和反应机理的关系 | 第37页 |
| ·质谱测量结果受影响因素 | 第37-39页 |
| 第七章 等离子发射光谱在线诊断 | 第39-45页 |
| ·等离子发射光谱的工作原理 | 第39-41页 |
| ·等离子发射光谱的辐射跃迁 | 第41-42页 |
| ·等离子发射光谱谱线的分析 | 第42-45页 |
| 第三篇 结果与分析 | 第45-76页 |
| 第八章 氧化硅薄膜沉积中朗缪尔静电探针测量 | 第45-52页 |
| ·平板容式放电电极中等离子体参数 | 第45-47页 |
| ·放电参数对等离子体参数的影响 | 第47-52页 |
| 第九章 氧化硅薄膜沉积的残余气体分析质谱仪测量 | 第52-64页 |
| ·正离子和中性组分的测量 | 第52-54页 |
| ·主要粒子电离阀值能测量 | 第54-55页 |
| ·氩气放电对气相粒子的影响 | 第55-56页 |
| ·HMDSO和氧气放电参数对等离子体参数的影响 | 第56-64页 |
| 第十章 氧化硅沉积中的等离子发射光谱测量 | 第64-67页 |
| ·功率对激发态粒子的影响 | 第64页 |
| ·气压对激发态粒子的影响 | 第64-65页 |
| ·单体与氧气比例对激发态粒子的影响 | 第65-66页 |
| ·中频电源占空比对气相粒子的影响 | 第66-67页 |
| 第十一章 容式放电中的等离子体参数和化学反应粒子 | 第67-71页 |
| ·三种诊断的区别和联系 | 第67-68页 |
| ·氩粒子基团的产生过程 | 第68-69页 |
| ·氧化硅沉积中的粒子基团的产生 | 第69-71页 |
| 第十二章 氧化硅薄膜沉积机理和可能的反应过程 | 第71-76页 |
| ·氧化硅薄膜沉积的驱体诊断 | 第71页 |
| ·氧化硅薄膜沉积的主要粒子相互作用 | 第71-72页 |
| ·氧化硅沉积的动力学 | 第72-73页 |
| ·氧化硅沉积的可能反应过程 | 第73-76页 |
| 第四篇 结论 | 第76-80页 |
| ·本文主要研究成果与结论 | 第76-78页 |
| ·本文的创新之处 | 第78页 |
| ·进一步工作的展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
