| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-46页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·场发射材料 | 第9-17页 |
| ·难熔金属和 Si基材料 | 第9-13页 |
| ·碳材料 | 第13-15页 |
| ·氮化硼(BN)、氮化镓(GaN)、和氧化锌(ZnO) | 第15-17页 |
| ·场发射理论 | 第17-25页 |
| ·金属的场致电子发射理论 | 第17-22页 |
| ·金属尖端的外场致电子发射 | 第17-19页 |
| ·场致电子发射的定性解释 | 第19-20页 |
| ·场致电子发射的定量计算 | 第20-22页 |
| ·半导体的场致电子发射理论 | 第22-25页 |
| ·半导体的外场致电子发射 | 第22-24页 |
| ·半导体的内场致发射 | 第24-25页 |
| ·碳基场发射材料的研究进展 | 第25-38页 |
| ·碳纳米管 | 第25-34页 |
| ·金刚石 | 第34-37页 |
| ·非晶碳 | 第37-38页 |
| ·本论文的选题依据及研究内容 | 第38-39页 |
| 本章小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-46页 |
| 第二章 碳纳米管薄膜的制备和场发射特性研究 | 第46-74页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·碳纳米管的制备与表征方法 | 第47-54页 |
| ·PECVD实验设备及原理介绍 | 第47-49页 |
| ·基底的处理 | 第49页 |
| ·催化剂的制备 | 第49页 |
| ·碳纳米管的制备条件 | 第49-50页 |
| ·碳纳米管的表征 | 第50-54页 |
| ·PECVD沉积参数对碳纳米管结构的影响 | 第54-57页 |
| ·温度的影响 | 第54-55页 |
| ·气压的影响 | 第55-57页 |
| ·催化剂对碳纳米管结构及场发射性能的影响 | 第57-62页 |
| ·Fe，Co，Ni催化剂合成碳纳米管的表面形貌和微结构 | 第57-60页 |
| ·Fe，Co，Ni催化剂合成碳纳米管的场发射性能 | 第60-62页 |
| ·过渡层对碳纳米管结构及场发射性能的影响 | 第62-69页 |
| ·Nb、Ni、Al和 Ti过渡层上生长碳纳米管的表面形貌 | 第62-64页 |
| ·Nb、Ni、Al和 Ti过渡层上生长碳纳米管的微结构 | 第64-66页 |
| ·Nb、Ni、Al和 Ti过渡层上生长碳纳米管的场发射性能 | 第66-69页 |
| 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第三章 内壁结晶、外壁非晶新型碳纳米管的制备与场发射特性研究 | 第74-86页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·内壁结晶、外壁非晶碳纳米管的制备方法 | 第74-75页 |
| ·内壁结晶、外壁非晶碳纳米管的结构 | 第75-78页 |
| ·内壁结晶、外壁非晶碳纳米管的生长机制 | 第78-80页 |
| ·内壁结晶、外壁非晶碳纳米管的场发射特性 | 第80-82页 |
| 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 非晶碳薄膜的制备与场发射特性研究 | 第86-122页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·非晶碳薄膜的制备 | 第87-89页 |
| ·磁控溅射系统及其原理简介 | 第87-89页 |
| ·非晶碳薄膜的沉积条件 | 第89页 |
| ·沉积参数对非晶碳薄膜的结构及场发射性能的影响 | 第89-93页 |
| ·铌过渡层对非晶碳薄膜场发射性能的影响 | 第93-103页 |
| ·铌-非晶碳接触对场发射的影响 | 第93-101页 |
| ·铌层厚度的影响 | 第101-103页 |
| ·碳化铌过渡层对非晶碳场发射性能的影响 | 第103-117页 |
| ·碳化铌相结构的影响 | 第104-111页 |
| ·碳化铌化学键合的影响 | 第111-117页 |
| 本章小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-122页 |
| 第五章 结论 | 第122-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第124-125页 |
| 中文摘要 | 第125-128页 |
| ABSTRACT | 第128-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
