| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第1章 前言 | 第13-29页 |
| ·在量子点激光器中的应用 | 第13-14页 |
| ·在量子信息中的应用 | 第14-25页 |
| ·量子点和其他量子体系的关系 | 第25-26页 |
| ·1982年-2010年自组织量子点方面的主要进展 | 第26-29页 |
| 第2章 量子点的生长、结构以及基本物理问题 | 第29-45页 |
| ·量子点的分类 | 第29-32页 |
| ·自组织量子点的生长 | 第32-34页 |
| ·量子点的结构、形貌以及组分 | 第34-35页 |
| ·单量子点的获得以及单光子谱 | 第35-36页 |
| ·自组织量子点中的物理问题 | 第36-45页 |
| 第3章 量子点的理论方法 | 第45-87页 |
| ·k·p方法 | 第45-51页 |
| ·k·p的发展过程 | 第45页 |
| ·k·p方法的基本思想 | 第45-47页 |
| ·Kane模型 | 第47-50页 |
| ·k·p下的包络函数近似 | 第50-51页 |
| ·k·p对应力的处理 | 第51-55页 |
| ·基于连续介质模型下的应力分析 | 第51-52页 |
| ·k·p方法对晶格形变的处理 | 第52-55页 |
| ·k·p下的对称性分析以及自旋轨道耦合作用 | 第55-56页 |
| ·应力相关的k·p哈密顿本征值求解方法 | 第56-57页 |
| ·晶格弛豫的微观模型-价键模型 | 第57-59页 |
| ·经验赝势的单粒子方程 | 第59-64页 |
| ·正交化平面波方法和赝势的导出 | 第59-61页 |
| ·经验赝势单粒子哈密顿量的建立 | 第61-64页 |
| ·经验赝势单粒子方程的矩阵元 | 第64-72页 |
| ·Bloch基矢线性组合方法 | 第64-67页 |
| ·应变下的Bloch基线性组合方法 | 第67-72页 |
| ·关于经验赝势的一些技巧 | 第72页 |
| ·经验赝势对外势和压电势的处理 | 第72-74页 |
| ·经验赝势单粒子方程对角化方法 | 第74-78页 |
| ·多体问题的组态相互作用方法 | 第78-81页 |
| ·Slater行列式 | 第78页 |
| ·组态相互作方法 | 第78-79页 |
| ·组态相互作用方法中矩阵元的计算方法 | 第79-81页 |
| ·紧束缚模型 | 第81-84页 |
| ·规范变换不变性问题 | 第84-87页 |
| 第4章 经验赝势方法的计算细节以及重要结果 | 第87-109页 |
| ·价键常模型和连续介质模型的比较 | 第87-88页 |
| ·赝势拟合 | 第88-93页 |
| ·半导体体材料的能带偏移量 | 第88-90页 |
| ·赝势拟合过程中的目标函数 | 第90-93页 |
| ·赝势拟合过程中的一些经验 | 第93页 |
| ·对赝势V(q~2)的进一步讨论 | 第93-94页 |
| ·SCLBB中的Taylor展开分析 | 第94-96页 |
| ·波函数展开以及单粒子能级的收敛性 | 第96-98页 |
| ·CI方法以及对多粒子体系基态能量的影响 | 第98页 |
| ·经验赝势和紧束缚近似的比较 | 第98-99页 |
| ·经验赝势和k·p的比较 | 第99-100页 |
| ·经验赝势的优缺点 | 第100-101页 |
| ·经验赝势计算的流程图 | 第101-109页 |
| 第5章 InAs/InP和InAs/GaAs量子点的能级结构 | 第109-123页 |
| ·InAs/GaAs和InAs/InP量子点中的应力 | 第109-112页 |
| ·单粒子的能级和波函数 | 第112-115页 |
| ·电子空穴的壳层能级间距 | 第115-116页 |
| ·电子和空穴的P轨道劈裂 | 第116-117页 |
| ·InAs/GaAs和InAs/InP的激子能量 | 第117-119页 |
| ·量子点发光的偏振性质 | 第119页 |
| ·量子点环中的各向异性 | 第119-120页 |
| ·耦合量子点的应力和单粒子能级 | 第120-123页 |
| 第6章 InAs/InP和InAs/GaAs量子点的光学性质 | 第123-151页 |
| ·光谱中S-P能级间距 | 第123-124页 |
| ·激子、双激子和带电激子的结合能 | 第124-127页 |
| ·隐关联能(Hidden Correlation) | 第127-129页 |
| ·激子、双激子以及带电激子的寿命 | 第129-132页 |
| ·明态-暗态的劈裂 | 第132页 |
| ·电子空穴的非对称性 | 第132-135页 |
| ·高带电激子的发光谱 | 第135页 |
| ·量子点中的相图 | 第135-140页 |
| ·合金量子点原子随机分布对量子点性质的影响 | 第140-141页 |
| ·VFF参数对量子点性质的影响 | 第141-151页 |
| 第7章 量子点中的精细结构劈裂 | 第151-171页 |
| ·量子点和纠缠光源 | 第151-152页 |
| ·精细结构对纠缠度的影响 | 第152-153页 |
| ·近几年在实验上的进展 | 第153-155页 |
| ·量子点的对称性 | 第155-158页 |
| ·FSS的唯象模型 | 第158-160页 |
| ·InAs/InP和InAs/GaAs量子点中的FSS | 第160-163页 |
| ·晶格弛豫对量子点FSS的影响 | 第163-164页 |
| ·水平电场对FSS和激子能量的影响 | 第164-166页 |
| ·高指数面的量子点的精细结构 | 第166页 |
| ·其他半导体中的纠缠光源 | 第166-167页 |
| ·量子点和纠缠动力学的演化 | 第167-171页 |
| 第8章 经验赝势的平面波方法以及能带计算 | 第171-181页 |
| ·哈密顿矩阵元 | 第172-173页 |
| ·自旋轨道耦合的两种处理方法 | 第173-175页 |
| ·程序中的计算技巧 | 第175-176页 |
| ·程序流程图 | 第176-177页 |
| ·GaAs的能带结构 | 第177-178页 |
| ·GaAs的自旋劈裂 | 第178页 |
| ·严格平面波和小盒子方法的比较 | 第178-180页 |
| ·(InAs)_n/(GaAs)_m超晶格 | 第180-181页 |
| 第9章 量子点中的电声强耦合和极化子 | 第181-201页 |
| ·电声相互作用的模型和基本概念 | 第181-186页 |
| ·电声强耦合下的Rabi振荡 | 第186-187页 |
| ·量子点中电声强耦合的理论方法和实验背景 | 第187-190页 |
| ·量子点样品的生长和光谱实验 | 第190-192页 |
| ·实验结果和分析 | 第192-201页 |
| ·关于实验结果的进一步讨论 | 第199-201页 |
| 第10章 总结 | 第201-205页 |
| 参考文献 | 第205-223页 |
| 附录A 不同对称性群表示的乘法表 | 第223-227页 |
| 附录B 量子点中的库仑积分和交换积分 | 第227-233页 |
| 附录C 能带宽度和温度的关系 | 第233-235页 |
| 致谢 | 第235-237页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第237-240页 |
