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高气压MPCVD法制备高质量金刚石的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-27页
    1.1 金刚石的结构第11-12页
    1.2 金刚石的性能及应用第12-16页
        1.2.1 金刚石的力学性能及应用第12-13页
        1.2.2 金刚石的热学性能及应用第13-14页
        1.2.3 金刚石的光学性能及应用第14-15页
        1.2.4 金刚石的电学性能及应用第15-16页
    1.3 CVD金刚石的生长机理与制备方法第16-20页
        1.3.1 CVD金刚石的生长机理第16-18页
        1.3.2 热丝CVD法第18页
        1.3.3 直流等离子喷射CVD法第18-19页
        1.3.4 微波等离子体化学气相沉积法第19-20页
    1.4 MPCVD金刚石沉积装置的研究进展第20-23页
        1.4.1 石英管式MPCVD沉积装置第20-21页
        1.4.2 石英钟罩式MPCVD沉积装置第21-22页
        1.4.3 椭球式MPCVD沉积装置第22-23页
    1.5 MPCVD沉积技术的研究现状第23-24页
    1.6 本文研究内容第24-27页
第2章 实验装置与结果表征第27-35页
    2.1 微波等离子体化学气相沉积装置第27-31页
        2.1.1 2.45GHz多模微波等离子体化学气相沉积装置第27-28页
        2.1.2 微波等离子体化学气相沉积装置的主要结构第28-31页
    2.2 样品表征方法第31-35页
        2.2.1 光学金相显微镜第31页
        2.2.2 扫描电子显微镜第31-32页
        2.2.3 激光拉曼光谱第32-33页
        2.2.4 等离子体发射光谱第33页
        2.2.5 光致发光光谱第33-35页
第3章 高气压对多晶金刚石沉积的影响研究第35-51页
    3.1 气压对高功率等离子体放电环境的影响第35-44页
        3.1.1 高气压下的等离子体环境的模拟分析第35-38页
        3.1.2 高气压下等离子体环境的诊断分析第38-44页
    3.2 沉积气压对金刚石膜表面形貌及质量的影响第44-48页
    3.3 气压对多晶金刚石膜生长结构及质量的调控规律第48-49页
    3.4 本章小结第49-51页
第4章 高气压对单晶金刚石生长缺陷的控制研究第51-69页
    4.1 基本生长缺陷的类型及结构分析第51-54页
        4.1.1 生长缺陷的类型第51页
        4.1.2 生长缺陷的微观结构第51-54页
    4.2 沉积气压对单晶金刚石缺陷的控制研究第54-64页
        4.2.1 预处理对金刚石缺陷的影响第54-55页
        4.2.2 气压对单晶金刚石生长缺陷的影响第55-64页
    4.3 高质量单晶金刚石的沉积第64-67页
    4.4 本章小结第67-69页
第5章 结论第69-73页
参考文献第73-80页
作者简介第80-81页
攻读硕士期间发表的论文和专利第81-83页
致谢第83页

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