摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 金刚石的结构 | 第11-12页 |
1.2 金刚石的性能及应用 | 第12-16页 |
1.2.1 金刚石的力学性能及应用 | 第12-13页 |
1.2.2 金刚石的热学性能及应用 | 第13-14页 |
1.2.3 金刚石的光学性能及应用 | 第14-15页 |
1.2.4 金刚石的电学性能及应用 | 第15-16页 |
1.3 CVD金刚石的生长机理与制备方法 | 第16-20页 |
1.3.1 CVD金刚石的生长机理 | 第16-18页 |
1.3.2 热丝CVD法 | 第18页 |
1.3.3 直流等离子喷射CVD法 | 第18-19页 |
1.3.4 微波等离子体化学气相沉积法 | 第19-20页 |
1.4 MPCVD金刚石沉积装置的研究进展 | 第20-23页 |
1.4.1 石英管式MPCVD沉积装置 | 第20-21页 |
1.4.2 石英钟罩式MPCVD沉积装置 | 第21-22页 |
1.4.3 椭球式MPCVD沉积装置 | 第22-23页 |
1.5 MPCVD沉积技术的研究现状 | 第23-24页 |
1.6 本文研究内容 | 第24-27页 |
第2章 实验装置与结果表征 | 第27-35页 |
2.1 微波等离子体化学气相沉积装置 | 第27-31页 |
2.1.1 2.45GHz多模微波等离子体化学气相沉积装置 | 第27-28页 |
2.1.2 微波等离子体化学气相沉积装置的主要结构 | 第28-31页 |
2.2 样品表征方法 | 第31-35页 |
2.2.1 光学金相显微镜 | 第31页 |
2.2.2 扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
2.2.3 激光拉曼光谱 | 第32-33页 |
2.2.4 等离子体发射光谱 | 第33页 |
2.2.5 光致发光光谱 | 第33-35页 |
第3章 高气压对多晶金刚石沉积的影响研究 | 第35-51页 |
3.1 气压对高功率等离子体放电环境的影响 | 第35-44页 |
3.1.1 高气压下的等离子体环境的模拟分析 | 第35-38页 |
3.1.2 高气压下等离子体环境的诊断分析 | 第38-44页 |
3.2 沉积气压对金刚石膜表面形貌及质量的影响 | 第44-48页 |
3.3 气压对多晶金刚石膜生长结构及质量的调控规律 | 第48-49页 |
3.4 本章小结 | 第49-51页 |
第4章 高气压对单晶金刚石生长缺陷的控制研究 | 第51-69页 |
4.1 基本生长缺陷的类型及结构分析 | 第51-54页 |
4.1.1 生长缺陷的类型 | 第51页 |
4.1.2 生长缺陷的微观结构 | 第51-54页 |
4.2 沉积气压对单晶金刚石缺陷的控制研究 | 第54-64页 |
4.2.1 预处理对金刚石缺陷的影响 | 第54-55页 |
4.2.2 气压对单晶金刚石生长缺陷的影响 | 第55-64页 |
4.3 高质量单晶金刚石的沉积 | 第64-67页 |
4.4 本章小结 | 第67-69页 |
第5章 结论 | 第69-73页 |
参考文献 | 第73-80页 |
作者简介 | 第80-81页 |
攻读硕士期间发表的论文和专利 | 第81-83页 |
致谢 | 第83页 |