首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--计算技术、计算机技术论文--电子数字计算机(不连续作用电子计算机)论文--存贮器论文

基于大容量、高性能有机纳晶的场效应晶体管存储器的研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
专用术语注释表第10-12页
第一章 绪论第12-32页
    1.1 引言第12-15页
        1.1.1 有机光电子学的发展概述第12-13页
        1.1.2 半导体存储器件第13-15页
    1.2 小分子的有机场效应晶体管的简介第15-20页
        1.2.1 小分子的有机场效应晶体管的材料的分类第16-18页
        1.2.2 小分子的有机场效应晶体管的器件结构和工作原理第18-20页
    1.3 二元混合物相分离的有机场效应晶体管第20-23页
        1.3.1 相分离的有机场效应晶体管简介第20-22页
        1.3.2 二元混合物垂直相分离的有机场效应晶体管的结构和特点第22-23页
    1.4 有机场效应晶体管存储器的简介第23-30页
        1.4.1 有机场效应晶体管存储器的结构分类及特点第23-26页
        1.4.2 有机场效应晶体管存储器的工作原理与性能参数第26-28页
        1.4.3 有机场效应晶体管存储器制备、表征和测试第28-30页
    1.5 本论文研究意义和挑战及设计思路第30-32页
        1.5.1 本论文的研究意义和遇到的挑战第30-31页
        1.5.2 本研究论文的设计思路第31-32页
第二章 基于侧链基团效应对器件存储性能影响的研究第32-47页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 实验部分第33-35页
        2.2.1 实验材料第33-34页
        2.2.2 器件的制备第34页
        2.2.3 器件的表征方法第34-35页
    2.3 基于TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器第35-38页
        2.3.1 TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备第35-36页
        2.3.2 TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能第36-38页
    2.4 基于TPP-CH作为电荷捕获层的OFET存储器第38-41页
        2.4.1 TPP-CH3作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备第38-39页
        2.4.2 TPP-CH3作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能第39-41页
    2.5 基于TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器第41-44页
        2.5.1 TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备第41-42页
        2.5.2 TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能第42-44页
    2.6 侧链基团效应机制的研究第44-46页
    2.7 本章小结第46-47页
第三章 基于纳米限域效应对器件性能影响的研究第47-65页
    3.1 引言第47-48页
    3.2 实验部分第48-50页
        3.2.1 实验材料及器件结构第48-49页
        3.2.2 小分子/弹性体二元混合物相分离电介体的制备第49页
        3.2.3 器件的制备第49-50页
        3.2.4 器件的表征与分析方法第50页
    3.3 绝缘聚合物纳米限域效应对OFET存储性能的影响第50-64页
        3.3.1 不同的掺杂比例对存储性能的影响第50-55页
        3.3.2 相分离纳米结构阵列的表征第55-57页
        3.3.3 相分离工艺的普适性的研究第57-63页
        3.3.4 相分离纳米阵列存储机制的研究第63-64页
    3.4 本章小结第64-65页
第四章 基于P/N型掺杂有机场效应晶体管存储器的研究第65-78页
    4.1 引言第65-66页
    4.2 实验部分第66-67页
        4.2.1 实验材料第66-67页
        4.2.2 器件的表征方法第67页
    4.3 基于双组分掺杂的OFET有机场效应晶体管存储器第67-71页
        4.3.1 器件的制备第67页
        4.3.2 掺杂比例对器件的存储性能的影响第67-71页
    4.4 基于三组分掺杂的OFET有机场效应晶体管存储器第71-77页
        4.4.1 器件的制备第71页
        4.4.2 掺杂比例对器件的存储性能的影响第71-75页
        4.4.3 电荷存储机制的分析第75-77页
    4.5 本章小结第77-78页
第五章 总结与展望第78-80页
参考文献第80-83页
附录1 补充数据第83-91页
附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文第91-92页
附录3 攻读硕士学位期间申请的专利第92-93页
附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目第93-94页
致谢第94页

论文共94页,点击 下载论文
上一篇:HDFS文件系统的改进研究
下一篇:机载嵌入式系统的可靠性和完整性研究