0.18μm标准CMOS工艺硅光电倍增器研制
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第9-11页 |
| 1.3 主要工作与全文安排 | 第11-13页 |
| 2 SiPM器件的理论分析与数值仿真方法 | 第13-26页 |
| 2.1 SiPM简介 | 第13-17页 |
| 2.2 SiPM器件物理模型 | 第17-21页 |
| 2.3 数值仿真方法 | 第21-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 CMOS SiPM器件的数值仿真研究 | 第26-46页 |
| 3.1 仿真结构定义 | 第26-31页 |
| 3.2 稳态仿真研究 | 第31-35页 |
| 3.3 瞬态仿真研究 | 第35-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 版图设计与器件实现 | 第46-56页 |
| 4.1 版图设计与验证 | 第46-52页 |
| 4.2 样片形貌分析 | 第52-54页 |
| 4.3 封装设计 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 器件性能评估与初步应用 | 第56-65页 |
| 5.1 稳态电流-电压特性测试 | 第56-57页 |
| 5.2 瞬态响应测试 | 第57-63页 |
| 5.3 应用COMS SiPM器件检测脉搏信号 | 第63-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 6 总结与展望 | 第65-68页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第65-66页 |
| 6.2 研究展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文 | 第75页 |
