摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-15页 |
1.1 从LDO的国内外研究现状引出本文的设计方向 | 第11-12页 |
1.2 本文的选题来源、需求背景和应用价值 | 第12-13页 |
1.2.1 选题来源 | 第12-13页 |
1.2.2 选题需求背景和应用价值 | 第13页 |
1.3 本文的工作内容 | 第13-14页 |
1.4 本文的结构安排 | 第14-15页 |
第二章 LDO的结构与原理 | 第15-27页 |
2.1 LDO的常规结构组成及工作原理 | 第15-16页 |
2.2 LDO的结构拓展 | 第16-17页 |
2.3 保障LDO可靠的基础是结构稳定 | 第17-21页 |
2.3.1 PMOS与NMOS选择关系到LDO的结构稳定 | 第18页 |
2.3.2 LDO的环路稳定 | 第18-21页 |
2.4 LDO的参数指标 | 第21-25页 |
2.4.1 电源抑制比 | 第21-22页 |
2.4.2 最小电压差 | 第22-23页 |
2.4.3 静态电流(Quiescent Current) | 第23页 |
2.4.4 线性调整率(Line Regulation) | 第23-24页 |
2.4.5 负载调整率(Load Regulation) | 第24页 |
2.4.6 相位裕度 | 第24-25页 |
2.4.7 ESD能力 | 第25页 |
2.4.8 高低温能力 | 第25页 |
2.5 本文实现的LDO的参数指标 | 第25-26页 |
2.6 本章小结 | 第26-27页 |
第三章 LDO的模块及整体电路设计 | 第27-61页 |
3.1 为实现低功耗对LDO的整体规划 | 第27-28页 |
3.2 BGR电路 | 第28-37页 |
3.2.1 BGR与可靠性 | 第28页 |
3.2.2 正温与负温 | 第28-29页 |
3.2.3 常规的BGR电路结构 | 第29-31页 |
3.2.4 改进的BGR电路结构 | 第31-33页 |
3.2.5 BGR的实际电路及仿真 | 第33-37页 |
3.3 误差放大器电路 | 第37-43页 |
3.3.1 误差放大器与LDO的可靠性 | 第37-39页 |
3.3.2 误差放大器的电路实现 | 第39-42页 |
3.3.3 误差放大器的仿真 | 第42-43页 |
3.4 POWER MOS与电阻串 | 第43-46页 |
3.4.1 Power MOS的选择 | 第43-44页 |
3.4.2 Power MOS的尺寸规划 | 第44-45页 |
3.4.3 反馈网络中的电阻串的取值 | 第45页 |
3.4.4 主极点与系统可靠性的分析 | 第45-46页 |
3.5 提升可靠性的安全辅助电路 | 第46-51页 |
3.5.1 过流保护 | 第47-48页 |
3.5.2 过温保护 | 第48-50页 |
3.5.3 过流保护与过温保护的逻辑控制 | 第50-51页 |
3.6 LDO的端口设定 | 第51-52页 |
3.7 CHIP级的I/O设计 | 第52-56页 |
3.7.1 I/O模块规划 | 第53页 |
3.7.2 I/O的ESD泄放通路和I/Ocell的考虑 | 第53-56页 |
3.8 LDO整体仿真 | 第56-60页 |
3.9 本章小结 | 第60-61页 |
第四章 LDO的版图设计及后仿验证 | 第61-74页 |
4.1 版图工作流程 | 第61-62页 |
4.2 版图绘制与可靠性 | 第62-67页 |
4.2.1 失效与可靠性 | 第63-64页 |
4.2.2 版图与芯片可靠度 | 第64页 |
4.2.3 版图绘制中怎么来提高可靠性 | 第64-67页 |
4.2.3.1 使用众多验证工具保障可靠性 | 第64页 |
4.2.3.2 65nm工艺节点下易产生失效的几种效应 | 第64-67页 |
4.2.3.3 从工作流程去提升可靠性 | 第67页 |
4.3 基于LDO电路的版图绘制重点 | 第67-71页 |
4.4 LDO的后仿验证 | 第71-72页 |
4.5 本章小结 | 第72-74页 |
第五章 LDO的测试 | 第74-80页 |
5.1 测试环境和条件简介 | 第74-76页 |
5.2 常规参数的测试结果 | 第76-77页 |
5.3 LDO的高低温测试 | 第77页 |
5.4 LDO的ESD测试 | 第77-78页 |
5.5 本章小结 | 第78-80页 |
第六章 结论 | 第80-82页 |
6.1 主要成果和贡献 | 第80页 |
6.2 存在的问题及下一步的展望 | 第80-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-85页 |