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一种低功耗高可靠性LDO的设计与实现

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-15页
    1.1 从LDO的国内外研究现状引出本文的设计方向第11-12页
    1.2 本文的选题来源、需求背景和应用价值第12-13页
        1.2.1 选题来源第12-13页
        1.2.2 选题需求背景和应用价值第13页
    1.3 本文的工作内容第13-14页
    1.4 本文的结构安排第14-15页
第二章 LDO的结构与原理第15-27页
    2.1 LDO的常规结构组成及工作原理第15-16页
    2.2 LDO的结构拓展第16-17页
    2.3 保障LDO可靠的基础是结构稳定第17-21页
        2.3.1 PMOS与NMOS选择关系到LDO的结构稳定第18页
        2.3.2 LDO的环路稳定第18-21页
    2.4 LDO的参数指标第21-25页
        2.4.1 电源抑制比第21-22页
        2.4.2 最小电压差第22-23页
        2.4.3 静态电流(Quiescent Current)第23页
        2.4.4 线性调整率(Line Regulation)第23-24页
        2.4.5 负载调整率(Load Regulation)第24页
        2.4.6 相位裕度第24-25页
        2.4.7 ESD能力第25页
        2.4.8 高低温能力第25页
    2.5 本文实现的LDO的参数指标第25-26页
    2.6 本章小结第26-27页
第三章 LDO的模块及整体电路设计第27-61页
    3.1 为实现低功耗对LDO的整体规划第27-28页
    3.2 BGR电路第28-37页
        3.2.1 BGR与可靠性第28页
        3.2.2 正温与负温第28-29页
        3.2.3 常规的BGR电路结构第29-31页
        3.2.4 改进的BGR电路结构第31-33页
        3.2.5 BGR的实际电路及仿真第33-37页
    3.3 误差放大器电路第37-43页
        3.3.1 误差放大器与LDO的可靠性第37-39页
        3.3.2 误差放大器的电路实现第39-42页
        3.3.3 误差放大器的仿真第42-43页
    3.4 POWER MOS与电阻串第43-46页
        3.4.1 Power MOS的选择第43-44页
        3.4.2 Power MOS的尺寸规划第44-45页
        3.4.3 反馈网络中的电阻串的取值第45页
        3.4.4 主极点与系统可靠性的分析第45-46页
    3.5 提升可靠性的安全辅助电路第46-51页
        3.5.1 过流保护第47-48页
        3.5.2 过温保护第48-50页
        3.5.3 过流保护与过温保护的逻辑控制第50-51页
    3.6 LDO的端口设定第51-52页
    3.7 CHIP级的I/O设计第52-56页
        3.7.1 I/O模块规划第53页
        3.7.2 I/O的ESD泄放通路和I/Ocell的考虑第53-56页
    3.8 LDO整体仿真第56-60页
    3.9 本章小结第60-61页
第四章 LDO的版图设计及后仿验证第61-74页
    4.1 版图工作流程第61-62页
    4.2 版图绘制与可靠性第62-67页
        4.2.1 失效与可靠性第63-64页
        4.2.2 版图与芯片可靠度第64页
        4.2.3 版图绘制中怎么来提高可靠性第64-67页
            4.2.3.1 使用众多验证工具保障可靠性第64页
            4.2.3.2 65nm工艺节点下易产生失效的几种效应第64-67页
            4.2.3.3 从工作流程去提升可靠性第67页
    4.3 基于LDO电路的版图绘制重点第67-71页
    4.4 LDO的后仿验证第71-72页
    4.5 本章小结第72-74页
第五章 LDO的测试第74-80页
    5.1 测试环境和条件简介第74-76页
    5.2 常规参数的测试结果第76-77页
    5.3 LDO的高低温测试第77页
    5.4 LDO的ESD测试第77-78页
    5.5 本章小结第78-80页
第六章 结论第80-82页
    6.1 主要成果和贡献第80页
    6.2 存在的问题及下一步的展望第80-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-85页

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