| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第16-42页 |
| 1.1 Ⅲ/Ⅴ族量子阱半导体激光器简介 | 第16-19页 |
| 1.1.1 Ⅲ/Ⅴ族量子阱半导体激光器的发展历程 | 第16-18页 |
| 1.1.2 Ⅲ/Ⅴ族半导体激光器的主要应用 | 第18-19页 |
| 1.2 Ⅲ/Ⅴ族三元、四元半导体激光器外延材料的晶格结构及退化机理介绍.. | 第19-26页 |
| 1.2.1 Ⅲ/Ⅴ族三元、四元半导体激光器外延材料的晶格结构 | 第19-20页 |
| 1.2.2 Ⅲ/Ⅴ族三元、四元半导体激光器的主要退化机理 | 第20-26页 |
| 1.3 Ⅲ/Ⅴ族多元体系半导体激光器的退化机理在国内外的研究进展 | 第26-40页 |
| 1.4 本论文的研究目的与研究工作 | 第40-42页 |
| 第2章 半导体激光器外延结构的性能表征测试方法 | 第42-50页 |
| 2.1 阴极荧光技术 | 第42-44页 |
| 2.2 高分辨率X射线衍射仪 | 第44-46页 |
| 2.3 光致发光光谱仪 | 第46-47页 |
| 2.4 时间分辨光致发光光谱仪 | 第47-48页 |
| 2.5 扫描电子显微镜 | 第48页 |
| 2.6 激光拉曼光谱仪 | 第48-49页 |
| 2.7 本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 AlGaInAs量子阱外延结构的MOCVD生长及结构表征 | 第50-62页 |
| 3.1 MOCVD外延系统介绍 | 第50-53页 |
| 3.2 AlGaInAs应变量子阱外延结构的生长工艺 | 第53-55页 |
| 3.3 AlGaInAs应变量子阱外延结构的均匀性表征 | 第55-56页 |
| 3.4 AlGaInAs应变量子阱外延层的组分测定与分析 | 第56页 |
| 3.5 AlGaInAs应变量子阱外延结构的热处理工艺 | 第56页 |
| 3.6 AlGaInAs应变量子阱外延片的结构性能测试与分析 | 第56-60页 |
| 3.7 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 AlGaInAs应变量子阱半导体激光器外延结构中热处理引发的缺陷类型及演变过程 | 第62-82页 |
| 4.1 研究背景 | 第62-63页 |
| 4.2 AlGaInAs应变量子阱外延片的荧光寿命分析 | 第63-66页 |
| 4.3 AlGaInAs应变量子阱外延片的空间分辨阴极荧光测试与性能表征 | 第66-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 温度对AlGaInAs应变量子阱半导体激光器外延结构光学性能的影响 | 第82-102页 |
| 5.1 研究背景 | 第82页 |
| 5.2 温度对AlGaInAs应变量子阱外延结构的PL发光峰强度的影响 | 第82-86页 |
| 5.3 温度对AlGaInAs应变量子阱外延结构的PL发光峰位的影响 | 第86-94页 |
| 5.4 温度对AlGaInAs应变量子阱外延结构的PL发光峰半高宽的影响 | 第94-97页 |
| 5.5 AlGaInAs应变量子阱外延结构的PL发光峰能量与半高宽间的关系 | 第97-99页 |
| 5.6 本章小结 | 第99-102页 |
| 第6章 总结与展望 | 第102-106页 |
| 6.1 结论 | 第102-103页 |
| 6.2 改进器件高温热稳定性的建议 | 第103页 |
| 6.3 研究展望 | 第103-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 附录 英文缩略词列表 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第120-121页 |
