| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 光催化的发展历史 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体光催化技术的基本原理 | 第10-11页 |
| 1.3 影响光催化性能的主要因素 | 第11-14页 |
| 1.3.1 反应条件 | 第11-12页 |
| 1.3.2 电子结构 | 第12页 |
| 1.3.3 晶体结构和晶格缺陷 | 第12-13页 |
| 1.3.4 光催化剂的表面 | 第13页 |
| 1.3.5 光催化剂的界面 | 第13-14页 |
| 1.4 光催化改性的方法 | 第14-16页 |
| 1.4.1 掺杂改性 | 第14-16页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 基础理论和计算方法 | 第18-31页 |
| 2.1 早期的近似理论 | 第18-21页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第18-19页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第19-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-26页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kokn定理 | 第23-24页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第24-26页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第26-28页 |
| 2.3.1 局域密度近似 | 第26-27页 |
| 2.3.2 广义梯度近似 | 第27-28页 |
| 2.4 实际数值计算 | 第28-31页 |
| 第三章 双阴离子共掺杂SnS_2纳米片光催化活性的理论研究 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 计算方法 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-41页 |
| 3.3.1 纯净SnS_2纳米片 | 第33-34页 |
| 3.3.2 单掺杂SnS_2纳米片 | 第34-36页 |
| 3.3.3 双阴离子共掺杂SnS_2纳米片 | 第36-37页 |
| 3.3.4 缺陷形成能 | 第37-39页 |
| 3.3.5 带边位置 | 第39-40页 |
| 3.3.6 光学性质 | 第40-41页 |
| 3.3.7 浓度效应 | 第41页 |
| 3.4 结论 | 第41-43页 |
| 第四章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 4.1 总结 | 第43页 |
| 4.2 展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间工作情况 | 第53页 |