| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体材料 | 第13-17页 |
| 1.2.1 半导体材料简介 | 第13页 |
| 1.2.2 半导体材料种类 | 第13-14页 |
| 1.2.3 半导体能带结构与带隙 | 第14-16页 |
| 1.2.4 复合半导体能带结构 | 第16-17页 |
| 1.3 纳米半导体材料 | 第17-19页 |
| 1.3.1 纳米半导体材料概述 | 第17页 |
| 1.3.2 纳米半导体材料的特性 | 第17-19页 |
| 1.4 半导体材料光电化学分解水原理 | 第19-20页 |
| 1.5 半导体量子点 | 第20-23页 |
| 1.5.1 半导体量子点概述 | 第20-21页 |
| 1.5.2 半导体量子点优势 | 第21页 |
| 1.5.3 半导体量子点的选择 | 第21-22页 |
| 1.5.4 半导体量子点的组装 | 第22-23页 |
| 1.6 本文构思与主要工作 | 第23-25页 |
| 第二章 不规则CdO/CdS微米岛阵列的制备及其光电化学性能 | 第25-40页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-28页 |
| 2.2.1 试剂和溶液配制 | 第26页 |
| 2.2.2 不规则CdO/CdS微米岛阵列的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 表征 | 第27页 |
| 2.2.4 光电化学性能测试 | 第27-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-39页 |
| 2.3.1 FTO在CdCl_2和NaCl混合溶液中的电化学行为 | 第28-29页 |
| 2.3.2 样品形貌与组成 | 第29-32页 |
| 2.3.3 光学性质 | 第32-33页 |
| 2.3.4 CdO和CdS的能带位置 | 第33页 |
| 2.3.5 光电化学性能 | 第33-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 CdO/CdS复合半导体薄膜的制备及其光电化学性能 | 第40-50页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41-42页 |
| 3.2.1 试剂与溶液配制 | 第41页 |
| 3.2.2 CdO/CdS复合半导体薄膜的制备 | 第41页 |
| 3.2.3 表征 | 第41页 |
| 3.2.4 光电化学性能测试 | 第41-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-48页 |
| 3.3.1 样品形貌与组成 | 第42-43页 |
| 3.3.2 光学性质 | 第43-44页 |
| 3.3.3 光电化学性能 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 分级纳米多孔ZnO/CdS裂纹复合半导体薄膜的制备及其光电化学性能 | 第50-60页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 试剂与溶液配制 | 第51页 |
| 4.2.2 分级纳米多孔ZnO/CdS裂纹复合薄膜的制备 | 第51页 |
| 4.2.3 表征 | 第51-52页 |
| 4.2.4 光电化学性能测试 | 第52页 |
| 4.3 结果与分析 | 第52-58页 |
| 4.3.1 样品形貌与组成 | 第52-54页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第54页 |
| 4.3.3 ZnO和CdS的能带位置 | 第54-55页 |
| 4.3.4 光电化学性能 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 结语 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-72页 |
| 攻读学位期间发表的文章 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
