| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题的背景及研究的意义 | 第9-10页 |
| 1.2 金属纳米线的性质及其在透明导电薄膜中的应用 | 第10-15页 |
| 1.2.1 金属纳米线的光学与电学性能 | 第10-12页 |
| 1.2.2 在太阳能电池中的应用 | 第12页 |
| 1.2.3 在有机发光二极管(OLED)中的应用 | 第12-13页 |
| 1.2.4 在触摸屏中的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 铜纳米线的制备及抗氧化性的研究 | 第15-22页 |
| 1.3.1 液相还原法 | 第15-18页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 模板法 | 第19页 |
| 1.3.4 铜纳米线的表面氧化机制 | 第19-20页 |
| 1.3.5 铜纳米线表面易氧化的解决方法 | 第20-22页 |
| 1.4 研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验原料仪器及表征方法 | 第24-28页 |
| 2.1 实验中所需的药品和试剂 | 第24-25页 |
| 2.2 主要的实验设备和仪器 | 第25页 |
| 2.3 表征技术与方法 | 第25-28页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第25-26页 |
| 2.3.2 X射线衍射分析(XRD) | 第26页 |
| 2.3.3 红外光谱分析(FT-IR) | 第26页 |
| 2.3.4 紫外可见光谱分析(UV) | 第26-27页 |
| 2.3.5 热重分析(TGA) | 第27页 |
| 2.3.6 四探针电阻测试 | 第27-28页 |
| 第3章 铜纳米线的制备及其性能的研究 | 第28-46页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 制备铜纳米线制备的实验方案 | 第28-29页 |
| 3.3 制备铜纳米线的各实验参数的确定 | 第29-38页 |
| 3.3.1 反应温度与铜纳米线形貌的关系 | 第29-31页 |
| 3.3.2 加热方式与铜纳米线形貌的关系 | 第31-32页 |
| 3.3.3 水合肼的加入量与铜纳米线形貌的关系 | 第32-34页 |
| 3.3.4 孕育时间与铜纳米线形貌的关系 | 第34-35页 |
| 3.3.5 吡咯单体的加入量与铜纳米线形貌的关系 | 第35-38页 |
| 3.4 放大实验 | 第38-39页 |
| 3.5 铜纳米生长过程和性能分析 | 第39-45页 |
| 3.5.1 铜纳米线的生长过程 | 第39-41页 |
| 3.5.2 铜纳米线的红外吸收光谱分析 | 第41-42页 |
| 3.5.3 铜纳米线的热重分析 | 第42页 |
| 3.5.4 铜纳米线X射线衍射图谱分析 | 第42-44页 |
| 3.5.5 聚吡咯的保护效果的验证 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小节 | 第45-46页 |
| 第4章 铜纳米线在透明导电薄膜上的应用 | 第46-61页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 铜纳米线透明导电薄膜的制备 | 第46-50页 |
| 4.2.1 铜纳米线分散液的配置 | 第46-47页 |
| 4.2.2 基底材料的选择 | 第47页 |
| 4.2.3 铜纳米线导电薄膜的涂布 | 第47-50页 |
| 4.3 导电薄膜的热处理 | 第50-51页 |
| 4.4 铜纳米透明导电薄膜的性能的测试 | 第51-59页 |
| 4.4.1 薄膜方阻及导电均一性的测试 | 第51-54页 |
| 4.4.2 薄膜透率与方阻的关系 | 第54-57页 |
| 4.4.3 薄膜柔性的测试 | 第57-58页 |
| 4.4.4 导电薄膜时间稳定性的测试 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小节 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70页 |