| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文结构 | 第12-14页 |
| 第二章 铟镓锌氧化物半导体材料性质及其器件结构 | 第14-22页 |
| 2.1 铟镓锌氧化物半导体材料电学性质 | 第14-19页 |
| 2.1.1 IGZO基本电学参数 | 第14页 |
| 2.1.2 IGZO态密度 | 第14-16页 |
| 2.1.3 IGZO费米能级 | 第16-17页 |
| 2.1.4 IGZO本征载流子浓度 | 第17页 |
| 2.1.5 IGZO电荷密度与电势 | 第17-19页 |
| 2.2 铟镓锌氧化物薄膜场效应管结构 | 第19-21页 |
| 2.2.1 IGZO-TFT背栅结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 IGZO-TFT仿真区域定义 | 第20-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 铟镓锌氧化物薄膜场效应管仿真过程 | 第22-48页 |
| 3.1 电容测试与仿真的联系 | 第22-23页 |
| 3.2 IGZO-TFT器件仿真的网格划分 | 第23-29页 |
| 3.2.1 器件网格以矩阵表示 | 第23-27页 |
| 3.2.2 向量形式的物理量 | 第27-29页 |
| 3.3 IGZO-TFT器件中的物理方程 | 第29-35页 |
| 3.3.1 矩阵形式的泊松方程 | 第29-30页 |
| 3.3.2 电流密度方程 | 第30-32页 |
| 3.3.3 连续性方程 | 第32-33页 |
| 3.3.4 交变电场中的方程组 | 第33-35页 |
| 3.4 IGZO-TFT器件电极与仿真边界条件 | 第35-36页 |
| 3.5 IGZO-TFT器件中泊松方程的求解 | 第36-45页 |
| 3.5.1 电势交流分量 | 第37-39页 |
| 3.5.2 电势直流分量 | 第39-41页 |
| 3.5.3 方程迭代 | 第41-45页 |
| 3.6 IGZO-TFT器件等效电容计算 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 铟镓锌氧化物薄膜场效应管电容-偏压曲线仿真结果 | 第48-62页 |
| 4.1 IGZO-TFT器件C-V曲线 | 第48-49页 |
| 4.2 IGZO-TFT器件仿真结果分析 | 第49-61页 |
| 4.2.1 IGZO-TFT耗尽电容分析 | 第50-53页 |
| 4.2.2 IGZO-TFT积累电容分析 | 第53-61页 |
| 4.3 积累电容与耗尽电容计算验证 | 第61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |