摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第10-20页 |
1.1 硅纳米结构和多孔硅 | 第10-13页 |
1.1.1 硅纳米颗粒 | 第10-11页 |
1.1.2 多孔硅 | 第11页 |
1.1.3 硅纳米孔柱阵列 | 第11-12页 |
1.1.4 硅纳米材料体系发光机理的理论模型 | 第12-13页 |
1.2 硅纳米结构的表面处理 | 第13-15页 |
1.2.1 表面氧化 | 第13-14页 |
1.2.2 碳化处理 | 第14-15页 |
1.3 碳材料的场致发射性能 | 第15-18页 |
1.4 课题选择的目的及其意义 | 第18-20页 |
2 不同条件处理对Si-NPA性能的影响 | 第20-46页 |
2.1 浸泡时间对Si-NPA性能的影响 | 第20-31页 |
2.1.1 样品的制备 | 第20-21页 |
2.1.2 形貌结构表征及性能测试 | 第21-30页 |
2.1.3 小结 | 第30-31页 |
2.2 退火对Si-NPA性能的影响 | 第31-38页 |
2.2.1 样品的制备 | 第31页 |
2.2.2 形貌结构表征及性能测试 | 第31-37页 |
2.2.3 小结 | 第37-38页 |
2.3 碳化对Si-NPA性能的影响 | 第38-46页 |
2.3.1 样品的制备 | 第38-39页 |
2.3.2 形貌结构表征及性能测试 | 第39-44页 |
2.3.3 小结 | 第44-46页 |
3 Si-NPA表面沉积碳膜的结构和场发射性能研究 | 第46-68页 |
3.1 不同温度下在Si-NPA表面沉积碳膜的结构和场发射性能研究 | 第46-59页 |
3.1.1 样品的制备 | 第46-47页 |
3.1.2 形貌结构表征及性能测试 | 第47-59页 |
3.1.3 小结 | 第59页 |
3.2 场发射性能的优化方案(一) | 第59-63页 |
3.2.1 样品的制备 | 第60页 |
3.2.2 结构表征及性能测试 | 第60-63页 |
3.2.3 小结 | 第63页 |
3.3 场发射性能的优化方案(二) | 第63-68页 |
3.3.1 样品的制备 | 第64页 |
3.3.2 结构表征及性能测试 | 第64-67页 |
3.3.3 小结 | 第67-68页 |
4 结论与展望 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-77页 |
个人简介 | 第77-78页 |
致谢 | 第78页 |