| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.1.1 场致发射显示器 | 第11-12页 |
| 1.1.2 场发射阴极材料 | 第12-13页 |
| 1.2 研究现状及研究意义 | 第13-15页 |
| 1.3 本课题主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 铝掺杂氧化锌纳米阵列的性质及场致发射理论 | 第17-30页 |
| 2.1 ZnO材料的基本性质 | 第17-19页 |
| 2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 ZnO材料的性质 | 第18-19页 |
| 2.2 纳米材料的性质 | 第19-21页 |
| 2.2.1 小尺寸效应 | 第20页 |
| 2.2.2 表面效应 | 第20页 |
| 2.2.3 量子尺寸效应 | 第20页 |
| 2.2.4 宏观量子隧道效应 | 第20-21页 |
| 2.2.5 介电限域效应 | 第21页 |
| 2.3 Al掺杂ZnO纳米阵列的性质 | 第21-22页 |
| 2.4 场致发射理论 | 第22-27页 |
| 2.4.1 金属场致发射 | 第22-25页 |
| 2.4.2 半导体场致发射 | 第25-26页 |
| 2.4.3 场发射性能评价参数 | 第26-27页 |
| 2.5 纳米阵列的场发射性能分析 | 第27-29页 |
| 2.6 本章小节 | 第29-30页 |
| 第三章 纳米阵列的制备与表征方法 | 第30-39页 |
| 3.1 一维ZnO纳米材料制备方法简介 | 第30-32页 |
| 3.1.1 固相制备法 | 第30页 |
| 3.1.2 气相制备法 | 第30-31页 |
| 3.1.3 液相制备法 | 第31-32页 |
| 3.2 Al掺杂ZnO纳米阵列的水热制备法 | 第32-37页 |
| 3.2.1 晶体的水热生长理论 | 第33-34页 |
| 3.2.2 晶体的水热生长过程 | 第34-35页 |
| 3.2.3 Al掺杂ZnO纳米阵列的水热反应 | 第35-37页 |
| 3.3 表征方法 | 第37-38页 |
| 3.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第37页 |
| 3.3.2 X射线衍射(XRD) | 第37页 |
| 3.3.3 能谱分析(EDS) | 第37页 |
| 3.3.4 I-V特性测试 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小节 | 第38-39页 |
| 第四章 铝掺杂氧化锌纳米线的制备工艺研究 | 第39-59页 |
| 4.1 磁控溅射制备籽晶层工艺研究 | 第39-45页 |
| 4.1.1 磁控溅射简介 | 第39-41页 |
| 4.1.2 基片的清洗 | 第41页 |
| 4.1.3 溅射沉积ZnO籽晶层流程 | 第41-42页 |
| 4.1.4 结果分析 | 第42-45页 |
| 4.2 无掺杂ZnO纳米线的制备 | 第45-53页 |
| 4.2.1 设备和材料 | 第45页 |
| 4.2.2 水热反应法制备方案及流程 | 第45-46页 |
| 4.2.3 水热反应法结果分析 | 第46-50页 |
| 4.2.4 对生长方案的改进及最佳工艺参数 | 第50-51页 |
| 4.2.5 晶种生长法制备方案及流程 | 第51-52页 |
| 4.2.6 晶种生长法结果分析 | 第52-53页 |
| 4.3 Al掺杂ZnO纳米线的制备 | 第53-57页 |
| 4.3.1 制备方案及步骤 | 第53-54页 |
| 4.3.2 结果分析 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小节 | 第57-59页 |
| 第五章 场发射性能测试及分析 | 第59-70页 |
| 5.1 场发射测试 | 第59-61页 |
| 5.1.1 测试系统 | 第59-60页 |
| 5.1.2 测试流程 | 第60-61页 |
| 5.2 水热溶液浓度对场发射性能的影响 | 第61-63页 |
| 5.3 晶种生长法制备的ZnO纳米线场发射性能分析 | 第63-64页 |
| 5.3.1 场发射J-E及F-N曲线 | 第63页 |
| 5.3.2 场发射稳定性测试 | 第63-64页 |
| 5.4 Al掺杂纳米线场发射性能分析 | 第64-69页 |
| 5.4.1 场发射J-E曲线 | 第64-65页 |
| 5.4.2 场发射F-N曲线 | 第65-66页 |
| 5.4.3 场发射稳定性测试 | 第66-68页 |
| 5.4.4 场发射抗中毒性能测试 | 第68-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 论文的总结 | 第70-71页 |
| 6.2 存在的问题及未来展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |