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硅APD四象限探测器近红外增强技术研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 课题研究背景及其意义第10-14页
        1.1.1 近红外增强型硅APD四象限探测器的市场应用第10-11页
        1.1.2 典型硅材料近红外增强技术介绍第11-14页
    1.2 国内外产品以及技术现状第14-15页
    1.3 论文的主要研究内容第15-17页
第二章 器件理论基础第17-36页
    2.1 硅APD的理论知识与器件仿真特性第17-29页
        2.1.1 硅雪崩光电二极管的基本结构第17-18页
        2.1.2 器件仿真模型建立第18-21页
        2.1.3 击穿电压的计算方法第21-23页
        2.1.4 击穿电压温度系数计算方法第23-26页
        2.1.5 抗边缘击穿结构设计第26-27页
        2.1.6 噪声与暗电流抑制结构设计第27-29页
    2.2 硅PIN四象限探测器相关理论第29-35页
        2.2.1 硅PIN四象限探测器基本结构以及工作原理第29-31页
        2.2.2 像元串扰与像元间隙第31-35页
    2.3 本章小结第35-36页
第三章 近红外增强技术研究与器件制作第36-72页
    3.1 增透膜结构设计第36-44页
        3.1.1 增透膜设计流程第36-38页
        3.1.2 仿真材料库的建立第38-40页
        3.1.3 增透膜的初始光学结构设计与容差分析第40-41页
        3.1.4 增透膜介质补偿分析第41-42页
        3.1.5 增透膜的制作以及测试第42-44页
    3.2 微透镜阵列技术研究第44-53页
        3.2.1 微透镜结构响应增强原理第44-47页
        3.2.2 反射镜结构设计第47-48页
        3.2.3 微透镜尺寸设计第48页
        3.2.4 微透镜表面形貌设计第48-50页
        3.2.5 长度设计第50页
        3.2.6 微透镜结构设计汇总第50-51页
        3.2.7 微透镜制作工艺要求与工艺流程第51-52页
        3.2.8 高保形图形转移第52页
        3.2.9 长度精确控制第52-53页
        3.2.10 微透镜阵列制作结果第53页
    3.3 背面微结构制作第53-58页
        3.3.1 制绒技术原理第54-56页
        3.3.2 制绒技术工艺研究流程第56-57页
        3.3.3 制绒技术工艺实验第57-58页
    3.4 光响应与温度系数平衡性研究第58-61页
    3.5 近红外增强硅APD四象限探测器工艺制作第61-71页
        3.5.1 器件制作工艺流程设计第61-63页
        3.5.2 雪崩区工艺精确控制第63-65页
        3.5.3 表面与热处理工艺第65-68页
        3.5.4 高深宽比隔离沟槽刻蚀第68-69页
        3.5.5 高填充率深槽填充第69-70页
        3.5.6 自停止回刻技术第70-71页
    3.6 本章小结第71-72页
第四章 近红外增强硅APD四象限探测器性能评估第72-74页
    4.1 器件关键参数测试条件第72页
    4.2 与国外器件关键参数对比第72-74页
第五章 结论与展望第74-76页
    5.1 结论第74-75页
    5.2 展望第75-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-80页
攻硕期间取得的研究成果第80页

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