| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题研究背景及其意义 | 第10-14页 |
| 1.1.1 近红外增强型硅APD四象限探测器的市场应用 | 第10-11页 |
| 1.1.2 典型硅材料近红外增强技术介绍 | 第11-14页 |
| 1.2 国内外产品以及技术现状 | 第14-15页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 器件理论基础 | 第17-36页 |
| 2.1 硅APD的理论知识与器件仿真特性 | 第17-29页 |
| 2.1.1 硅雪崩光电二极管的基本结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 器件仿真模型建立 | 第18-21页 |
| 2.1.3 击穿电压的计算方法 | 第21-23页 |
| 2.1.4 击穿电压温度系数计算方法 | 第23-26页 |
| 2.1.5 抗边缘击穿结构设计 | 第26-27页 |
| 2.1.6 噪声与暗电流抑制结构设计 | 第27-29页 |
| 2.2 硅PIN四象限探测器相关理论 | 第29-35页 |
| 2.2.1 硅PIN四象限探测器基本结构以及工作原理 | 第29-31页 |
| 2.2.2 像元串扰与像元间隙 | 第31-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 近红外增强技术研究与器件制作 | 第36-72页 |
| 3.1 增透膜结构设计 | 第36-44页 |
| 3.1.1 增透膜设计流程 | 第36-38页 |
| 3.1.2 仿真材料库的建立 | 第38-40页 |
| 3.1.3 增透膜的初始光学结构设计与容差分析 | 第40-41页 |
| 3.1.4 增透膜介质补偿分析 | 第41-42页 |
| 3.1.5 增透膜的制作以及测试 | 第42-44页 |
| 3.2 微透镜阵列技术研究 | 第44-53页 |
| 3.2.1 微透镜结构响应增强原理 | 第44-47页 |
| 3.2.2 反射镜结构设计 | 第47-48页 |
| 3.2.3 微透镜尺寸设计 | 第48页 |
| 3.2.4 微透镜表面形貌设计 | 第48-50页 |
| 3.2.5 长度设计 | 第50页 |
| 3.2.6 微透镜结构设计汇总 | 第50-51页 |
| 3.2.7 微透镜制作工艺要求与工艺流程 | 第51-52页 |
| 3.2.8 高保形图形转移 | 第52页 |
| 3.2.9 长度精确控制 | 第52-53页 |
| 3.2.10 微透镜阵列制作结果 | 第53页 |
| 3.3 背面微结构制作 | 第53-58页 |
| 3.3.1 制绒技术原理 | 第54-56页 |
| 3.3.2 制绒技术工艺研究流程 | 第56-57页 |
| 3.3.3 制绒技术工艺实验 | 第57-58页 |
| 3.4 光响应与温度系数平衡性研究 | 第58-61页 |
| 3.5 近红外增强硅APD四象限探测器工艺制作 | 第61-71页 |
| 3.5.1 器件制作工艺流程设计 | 第61-63页 |
| 3.5.2 雪崩区工艺精确控制 | 第63-65页 |
| 3.5.3 表面与热处理工艺 | 第65-68页 |
| 3.5.4 高深宽比隔离沟槽刻蚀 | 第68-69页 |
| 3.5.5 高填充率深槽填充 | 第69-70页 |
| 3.5.6 自停止回刻技术 | 第70-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 近红外增强硅APD四象限探测器性能评估 | 第72-74页 |
| 4.1 器件关键参数测试条件 | 第72页 |
| 4.2 与国外器件关键参数对比 | 第72-74页 |
| 第五章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80页 |