智能功率模块可靠性的有限元仿真研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第11-14页 |
| 1.2 智能功率模块（IPM）的应用和发展方向 | 第14-19页 |
| 1.2.1 IPM工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.2 IPM模块封装 | 第15-19页 |
| 1.2.3 IPM的特点与优势 | 第19页 |
| 1.3 半导体器件可靠性 | 第19-23页 |
| 1.3.1 电子设备可靠性 | 第19-20页 |
| 1.3.2 功率电子器件失效因素 | 第20-22页 |
| 1.3.3 IPM的常见失效形式 | 第22-23页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第23-25页 |
| 1.5 课题研究的目的和意义 | 第25-27页 |
| 第二章 智能功率模块的有限元分析 | 第27-43页 |
| 2.1 有限元模型建立及网格划分 | 第27-34页 |
| 2.1.1 有限元仿真简介 | 第27页 |
| 2.1.2 有限元模型的建立和网格划分 | 第27-34页 |
| 2.2 材料物理参数 | 第34-37页 |
| 2.3 多物理场耦合分析 | 第37页 |
| 2.4 功率循环测试仿真 | 第37-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 载荷参数对功率循环的影响 | 第43-53页 |
| 3.1 芯片加载功率对功率循环的影响 | 第44-49页 |
| 3.2 循环周期对功率循环的影响 | 第49-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 工艺参数对功率循环的影响 | 第53-74页 |
| 4.1 焊料层厚度对功率循环的影响 | 第53-57页 |
| 4.2 陶瓷基板材料对功率循环的影响 | 第57-63页 |
| 4.3 焊料层空洞对功率循环的影响 | 第63-71页 |
| 4.3.1 不同空洞率 | 第63-67页 |
| 4.3.2 不同空洞位置 | 第67-68页 |
| 4.3.3 不同空洞数量 | 第68-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-74页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第74-77页 |
| 5.1 全文总结 | 第74-76页 |
| 5.2 研究展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第88页 |
