| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的概念 | 第11-16页 |
| 1.2.1 简介 | 第11页 |
| 1.2.2 结构 | 第11-13页 |
| 1.2.3 工作机理 | 第13-14页 |
| 1.2.4 性能参数 | 第14-16页 |
| 1.3 有关非晶铟镓锌氧化物IGZO介绍 | 第16-17页 |
| 1.3.1 简介 | 第16页 |
| 1.3.2 导电机理 | 第16-17页 |
| 1.4 柔性衬底上薄膜晶体管的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.5 本论文主要工作及意义 | 第21-22页 |
| 第二章 制备工艺及设备介绍 | 第22-34页 |
| 2.1 磁控溅射沉积镀膜法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 简介 | 第22-23页 |
| 2.1.2 原理 | 第23-24页 |
| 2.2 等离子体增强化学气相沉积法 | 第24-26页 |
| 2.3 热蒸发沉积镀膜法 | 第26-28页 |
| 2.4 马弗炉 | 第28-29页 |
| 2.5 扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30页 |
| 2.5.1 简介 | 第29页 |
| 2.5.2 原理 | 第29-30页 |
| 2.6 制备流程及工艺简介 | 第30-34页 |
| 2.6.1 柔性基板清洗 | 第30-31页 |
| 2.6.2 水氧隔绝层 | 第31页 |
| 2.6.3 栅电极 | 第31-32页 |
| 2.6.4 绝缘层 | 第32页 |
| 2.6.5 有源层 α-IGZO | 第32页 |
| 2.6.6 源漏电极 | 第32-33页 |
| 2.6.7 大气退火 | 第33-34页 |
| 第三章 复合绝缘层在柔性 α-IGZO TFT的应用研究 | 第34-44页 |
| 3.1 α-IGZO TFT器件绝缘层的研究背景 | 第34-35页 |
| 3.2 在 α-IGZO TFT中应用SiNx和SiO2作为绝缘层相关研究 | 第35-36页 |
| 3.3 SiNx/SiO2复合绝缘层的实验研究 | 第36-43页 |
| 3.3.1 研究思路 | 第36页 |
| 3.3.2 实验 | 第36-37页 |
| 3.3.3 结果与分析 | 第37-41页 |
| 3.3.4 对复合绝缘层表面进行氮气等离子体修缮的研究 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 薄膜内应力对柔性 α-IGZO TFT影响的研究 | 第44-53页 |
| 4.1 薄膜应力简介及研究意义 | 第44-45页 |
| 4.2 柔性 α-IGZO TFT的应力研究 | 第45-52页 |
| 4.2.1 研究思路及方法 | 第45-47页 |
| 4.2.2 实验 | 第47页 |
| 4.2.3 结果与分析 | 第47-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 二次退火工艺对柔性 α-IGZO TFT影响研究 | 第53-60页 |
| 5.1 α-IGZO TFT的退火工艺相关研究 | 第53页 |
| 5.2 柔性 α-IGZO TFT二次退火实验研究 | 第53-59页 |
| 5.2.1 研究思路 | 第53-55页 |
| 5.2.2 实验 | 第55页 |
| 5.2.3 结果与分析 | 第55-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
