| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-19页 |
| 1.3 选题依据及研究内容 | 第19-21页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第19页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 In_2O_3薄膜的制备工艺及性能研究 | 第21-37页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第22-23页 |
| 2.3 In_2O_3薄膜的制备工艺及电学性能研究 | 第23-35页 |
| 2.3.1 溅射功率对In_2O_3薄膜性能的影响 | 第23-25页 |
| 2.3.2 溅射气压对In_2O_3薄膜性能的影响 | 第25-27页 |
| 2.3.3 O2/Ar流量比对In_2O_3薄膜性能的影响 | 第27-29页 |
| 2.3.4 厚度对In_2O_3薄膜性能的影响 | 第29-30页 |
| 2.3.5 氮氩流量比对In_2O_3薄膜性能的影响 | 第30-32页 |
| 2.3.6 退火处理对In_2O_3薄膜性能的影响 | 第32-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 陶瓷基In_2O_3/ITO薄热电偶的制备及热电性能研究 | 第37-64页 |
| 3.1 薄膜热电偶理论基础 | 第37-40页 |
| 3.1.1 塞贝克效应 | 第37-39页 |
| 3.1.2 热电偶回路定律 | 第39-40页 |
| 3.2 陶瓷基In_2O_3/ITO薄膜热电偶的制备 | 第40-41页 |
| 3.3 薄膜热电偶的静态标定 | 第41-63页 |
| 3.3.1 In_2O_3/ITO薄膜热电偶的热电性能测试 | 第43-44页 |
| 3.3.2 In_2O_3电极电阻率对In_2O_3/ITO薄膜热电偶热电性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.3 氮掺杂对In_2O_3/ITO薄膜热电偶热电性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.4 退火温度对In_2O_3/ITO薄膜热电偶热电性能的影响 | 第47-51页 |
| 3.3.5 退火气氛对In_2O_3 /ITO薄膜热电偶热电性能的影响 | 第51-54页 |
| 3.3.6 退火时间对In_2O_3 /ITO薄膜热电偶热电性能的影响 | 第54-58页 |
| 3.3.7 Al2O3保护层对In_2O_3 /ITO薄膜热电偶热电性能的影响 | 第58-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 金属基In_2O_3/ITO薄热电偶的制备及热电性能研究 | 第64-71页 |
| 4.1 薄膜热电偶的结构 | 第64-65页 |
| 4.2 金属基In_2O_3/ITO薄膜热电偶的制备 | 第65-66页 |
| 4.3 金属基In_2O_3/ITO薄膜热电偶的热电性能研究 | 第66-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 结论 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
