| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第16-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-36页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第24-27页 |
| 1.2 AlGaN/GaN异质结功率晶体管的优势 | 第27-30页 |
| 1.3 AlGaN/GaN异质结功率晶体管的研究进展 | 第30-34页 |
| 1.4 本论文的研究内容和安排 | 第34-36页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结功率晶体管基础问题 | 第36-52页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质材料的MOCVD生长 | 第36-38页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺 | 第38-44页 |
| 2.3 AlGaN/GaN异质结构特性测试方法 | 第44-47页 |
| 2.3.1 范德堡法霍尔测试 | 第44-45页 |
| 2.3.2 电容-电压测试(C-V测试) | 第45-46页 |
| 2.3.3 变频电导测量 | 第46-47页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT器件的仿真基础 | 第47-50页 |
| 2.4.1 基本方程 | 第47-48页 |
| 2.4.2 器件模型 | 第48-50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT器件相关研究 | 第52-74页 |
| 3.1 增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT器件仿真研究 | 第52-58页 |
| 3.1.1 槽栅深度对器件特性的影响 | 第54-56页 |
| 3.1.2 栅金属功函数对器件特性的影响 | 第56-58页 |
| 3.2 槽栅AlGaN/GaN HEMT器件中刻蚀引入的陷阱态 | 第58-65页 |
| 3.2.1 槽栅HEMT器件的基本特性 | 第59-60页 |
| 3.2.2 槽栅刻蚀及退火工艺对器件陷阱态的影响 | 第60-63页 |
| 3.2.3 刻蚀及退火对器件栅漏电的影响分析 | 第63-65页 |
| 3.3 增强型AlGaN/GaN/AlGaN DH槽栅HEMT器件的陷阱态研究 | 第65-73页 |
| 3.3.1 增强型DH槽栅HEMT器件的基本特性 | 第66-70页 |
| 3.3.2 槽栅刻蚀对增强型DH HEMT陷阱态的影响 | 第70-73页 |
| 3.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 栅长对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响 | 第74-96页 |
| 4.1 栅长对常规AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响 | 第74-80页 |
| 4.1.1 栅长对常规AlGaN/GaN HEMT器件基本特性的影响 | 第74-75页 |
| 4.1.2 栅长对常规AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响 | 第75-79页 |
| 4.1.3 不同栅长下常规HEMT器件的DIBL效应 | 第79-80页 |
| 4.2 栅长对AlGaN/GaN DH HEMT器件特性的影响 | 第80-85页 |
| 4.2.1 栅长对AlGaN/GaN DH HEMT器件基本特性的影响 | 第81-83页 |
| 4.2.2 栅长对AlGaN/GaN DH HEMT器件击穿特性的影响 | 第83-84页 |
| 4.2.3 不同栅长下DH HEMT器件的DIBL效应 | 第84-85页 |
| 4.3 不同栅长AlGaN/GaN HEMT的DIBL效应仿真研究 | 第85-94页 |
| 4.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 第五章 基于体电场调制的高压HEMT器件 | 第96-112页 |
| 5.1 DBPL AlGaN/GaN HEMT器件 | 第96-103页 |
| 5.1.1 DBPL AlGaN/GaN HEMT的器件结构 | 第96-97页 |
| 5.1.2 DBPL AlGaN/GaN HEMT器件电特性研究 | 第97-102页 |
| 5.1.3 结构参数对DBPL HEMT器件击穿特性的影响 | 第102-103页 |
| 5.2 PIBL AlGaN/GaN HEMT器件 | 第103-110页 |
| 5.2.1 PIBL AlGaN/GaN HEMT的器件结 | 第103-104页 |
| 5.2.2 PIBL AlGaN/GaN HEMT器件电特性研究 | 第104-109页 |
| 5.2.3 结构参数对PIBL HEMT器件击穿特性的影响 | 第109-110页 |
| 5.3 本章小结 | 第110-112页 |
| 第六章 电介质/P-AlGaN叠栅增强型HEMT器件研究 | 第112-126页 |
| 6.1 常规P-AlGaN栅AlGaN/GaN HEMT器件 | 第112-116页 |
| 6.1.1 P-AlGaN栅的掺杂浓度对器件阈值电压的影响 | 第113-115页 |
| 6.1.2 P-AlGaN栅的厚度对器件阈值电压的影响 | 第115-116页 |
| 6.2 Al_2O_3/P-AlGaN叠栅结构AlGaN/GaN HEMT器件 | 第116-120页 |
| 6.3 电介质参数对叠栅HEMT器件阈值电压的影响 | 第120-124页 |
| 6.3.1 电介质的介电常数对叠栅HEMT器件阈值电压的影响 | 第121-122页 |
| 6.3.2 电介质的厚度对叠栅HEMT器件阈值电压的影响 | 第122-124页 |
| 6.4 本章小结 | 第124-126页 |
| 第七章 结论与展望 | 第126-130页 |
| 7.1 本文的主要结论 | 第126-129页 |
| 7.2 未来的工作展望 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
| 作者简介 | 第142-144页 |
