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二次电子对射频放电的作用及应用研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
目录第8-10页
第一章 绪论第10-23页
    1.1 引言第10-12页
        1.1.1 低温等离子体概述第10-11页
        1.1.2 常见低温等离子体源第11-12页
    1.2 射频等离子体放电第12-18页
        1.2.1 射频放电简介第12-16页
            1.2.1.1 容性耦合等离子体放电(CCP)第13-14页
            1.2.1.2 螺旋波等离子体放电(HWP)第14页
            1.2.1.3 感应耦合等离子体放电(ICP)第14-16页
        1.2.2 二次电子协同 ICP 射频放电第16-18页
    1.3 射频放电在材料表面改性中的应用第18-22页
        1.3.1 等离子体材料表面改性的原理第18-21页
        1.3.2 射频放电对聚合物薄膜表面改性的研究进展第21-22页
    1.4 本文的主要工作第22-23页
第二章 实验部分第23-32页
    2.1 实验装置介绍第23-24页
        2.1.1 实验仪器设备第23-24页
        2.1.2 实验材料第24页
    2.2 实验流程第24-25页
    2.3 等离子体诊断方法第25-29页
        2.3.1 朗缪尔探针诊断第25-28页
        2.3.2 发射光谱诊断第28-29页
    2.4 检测仪器及测试方法第29-32页
        2.4.1 接触角测试第29-30页
        2.4.2 原子力显微镜第30页
        2.4.3 X 射线光电子能谱第30-32页
第三章 二次电子对协同 ICP 放电的影响第32-49页
    3.1 朗缪尔探针诊断第32-40页
        3.1.1 ICP 放电时功率对等离子体参数的影响第32-34页
        3.1.2 二次电子协同 ICP 放电对等离子体参数的影响第34-40页
    3.2 二次电子协同 ICP 放电对 GaN 膜荧光特性的在线诊断第40-42页
    3.3 发射光谱诊断第42-47页
        3.3.1 不同氧氩比例对发射光谱的影响第43-45页
        3.3.2 不同脉冲偏压对发射光谱的影响第45-46页
        3.3.3 不同偏压占空比发射光谱的影响第46-47页
    3.4 本章小结第47-49页
第四章 二次电子协同 ICP 放电对 PET 膜的表面改性第49-63页
    4.1 二次电子协同 ICP 放电对 PET 膜亲水性的影响第49-53页
        4.1.1 不同脉冲偏压对 PET 膜亲水性的影响第50-51页
        4.1.2 不同偏压占空比对 PET 膜亲水性的影响第51-52页
        4.1.3 不同氧氩比例对 PET 膜亲水性的影响第52-53页
    4.2 二次电子协同 ICP 放电对 PET 膜表面形貌的影响第53-57页
        4.2.1 不同脉冲偏压对 PET 膜表面形貌的影响第53-55页
        4.2.2 不同偏压占空比对 PET 膜表面形貌的影响第55-57页
    4.3 二次电子协同 ICP 放电对 PET 膜表面成分的影响第57-62页
        4.3.1 不同氧氩比例对 PET 膜表面成分的影响第57-59页
        4.3.2 不同偏压占空比对 PET 膜表面成分的影响第59-62页
    4.4 本章小结第62-63页
第五章 结论第63-64页
参考文献第64-70页
硕士期间发表论文及申请专利第70-71页
致谢第71页

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