| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·非挥发存储器概论 | 第10-13页 |
| ·MASK ROM(Read Only Memory) | 第10-11页 |
| ·基于浮栅晶体管的非挥发存储器 | 第11-13页 |
| ·Flash存储器分类与特点 | 第13-18页 |
| ·NOR Flash存储器 | 第14-16页 |
| ·NAND Flash存储器 | 第16-18页 |
| ·非挥发存储器的新趋势 | 第18页 |
| ·存储器测试方法 | 第18-20页 |
| ·本论文的研究计划 | 第20-22页 |
| 第二章 嵌入SOC中NOR FLASH IP核的可行性验证 | 第22-43页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·对NOR Flash IP的论证与测试 | 第22-32页 |
| ·NOR Flash IP特性 | 第22-23页 |
| ·NOR Flash IP读取可行性验证 | 第23-25页 |
| ·NOR Flash IP编程可行性验证 | 第25-28页 |
| ·Flash IP结构与修复原理 | 第28-32页 |
| ·Flash在SOC中的编程接口设计 | 第32-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 嵌入SOC中NOR FLASH IP的测试方案 | 第43-60页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·测试模块硬件设计 | 第43-50页 |
| ·高速微控制器特性 | 第43-45页 |
| ·硬件设计概述 | 第45-50页 |
| ·测试模块软件设计 | 第50-58页 |
| ·测试模块工作流程 | 第50-53页 |
| ·数据分析算法 | 第53-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 NOR FLASH IP的测试结果 | 第60-66页 |
| ·测试模块调试波形数据 | 第60-63页 |
| ·生产线测试概要 | 第63-64页 |
| ·生产线测试结果 | 第64-66页 |
| 第五章 总结和展望 | 第66-70页 |
| ·总结 | 第66页 |
| ·展望 | 第66-68页 |
| ·USB编程器 | 第67-68页 |
| ·用户应用程序生产线编程 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
