| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 超导材料的研究概况 | 第10-11页 |
| 1.2 MgB_2超导材料概述 | 第11-17页 |
| 1.2.1 MgB_2的晶体结构和电子结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 MgB_2的电声（EP）耦合作用及双能隙 | 第13-15页 |
| 1.2.3 MgB_2的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.2.4 MgB_2超导体转变温度 Tc、临界电流密度 Jc和磁通钉扎简述 | 第16-17页 |
| 1.3 选题目的及意义 | 第17-19页 |
| 第二章 高压原位电学测量技术 | 第19-24页 |
| 2.1 测量微电路在 DAC 上的集成 | 第19-22页 |
| 2.1.1 金属钼薄膜的溅射 | 第19-20页 |
| 2.1.2 金属 Mo 薄膜的光刻 | 第20-21页 |
| 2.1.3 Al_2O_3绝缘保护层的制备 | 第21-22页 |
| 2.1.4 四电极微电路 | 第22页 |
| 2.2 样品的组装 | 第22-24页 |
| 第三章 MgB_2高压电学性质研究 | 第24-32页 |
| 3.1 引言 | 第24-26页 |
| 3.2 常压下 MgB_2样品的 XRD 表征 | 第26页 |
| 3.3 高压下 MgB_2直流电学性质研究 | 第26-31页 |
| 3.3.1 电极导电性能测试 | 第27-29页 |
| 3.3.2 高压下 MgB_2电阻率的测量 | 第29-30页 |
| 3.3.3 两个压力循环的电阻表征 | 第30-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 高压下 MgB_2粉晶微结构与界面行为演化研究 | 第32-44页 |
| 4.1 引言 | 第32-34页 |
| 4.2 常压 MgB_2样品 TEM 及 HRTEM 表征 | 第34页 |
| 4.3 不同压力对 MgB_2粉晶微结构及界面行为影响研究 | 第34-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结和展望 | 第44-46页 |
| 5.1 总结 | 第44页 |
| 5.2 展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-53页 |
| 作者简介 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
