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SiO2@g-C3N4/BiOI异质结复合纳米纤维的制备及其光催化性能的研究

中文摘要第4-5页
英文摘要第5-6页
第一章 前言第9-25页
    1.1 半导体光催化原理及应用第9-15页
        1.1.1 半导体光催化的原理第9-10页
        1.1.2 半导体光催化材料的发展第10-12页
        1.1.3 半导体光催化剂的改性第12-15页
    1.2 g-C_3N_4及其光催化性能调控第15-19页
        1.2.1 g-C_3N_4的结构性质第15页
        1.2.2 g-C_3N_4的制备方法第15-16页
        1.2.3 纳米结构g-C_3N_4的制备及其光催化性质研究第16页
        1.2.4 g-C_3N_4基异质结及光催化性质研究第16-18页
        1.2.5 g-C_3N_4基纳米异质结的固载化第18-19页
    1.3 静电纺丝技术第19-22页
        1.3.1 静电纺丝技术的原理和方法第19-20页
        1.3.2 电纺纳米纤维的特点第20-22页
    1.4 浸渍法第22-23页
        1.4.1 浸渍法的原理和方法第22-23页
        1.4.2 浸渍法合成的特点第23页
    1.5 论文选题依据和主要研究内容第23-25页
第二章 SiO_2@g-C_3N_4复合纳米纤维的制备及其光催化性能的研究第25-34页
    2.1 背景介绍第25页
    2.2 实验部分第25-27页
        2.2.1 实验试剂与仪器第25-26页
        2.2.2 样品的制备第26-27页
        2.2.3 光催化测试第27页
    2.3 结果与讨论第27-33页
        2.3.1 样品的物相表征第27-28页
        2.3.2 样品的形貌和组分含量表征第28-30页
        2.3.3 样品的光催化性质研究第30-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 SiO_2@g-C_3N_4/BiOI异质结复合纳米纤维的制备及其光催化性能的研究第34-50页
    3.1 背景介绍第34页
    3.2 实验部分第34-36页
        3.2.1 实验试剂与仪器第34-35页
        3.2.2 样品的制备第35-36页
        3.2.3 光催化测试第36页
    3.3 结果与讨论第36-49页
        3.3.1 样品的物相表征第36-37页
        3.3.2 样品的形貌和组分含量表征第37-41页
        3.3.3 样品的X射线光电子能谱分析第41-42页
        3.3.4 样品的光催化性质研究第42-49页
    3.4 本章小结第49-50页
第四章 总结与展望第50-52页
参考文献第52-59页
致谢第59-60页
在学期间公开发表论文及学术会议情况第60页

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