| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·光学减反膜的研究进展及意义 | 第8-12页 |
| ·PECVD技术原理及特点 | 第12-13页 |
| ·PECVD技术在光学薄膜中的应用 | 第13-15页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第15页 |
| ·论文的章节安排 | 第15-17页 |
| 2 课题研究方案论证 | 第17-31页 |
| ·PECVD技术制作光学薄膜可行性探讨 | 第17-25页 |
| ·光学薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·薄膜厚度及折射率、消光系数的检测方法 | 第18-21页 |
| ·薄膜透过率光谱测试方法 | 第21-22页 |
| ·薄膜材料成分分析方法 | 第22-23页 |
| ·薄膜表面形貌检测方法 | 第23-24页 |
| ·实验材料及样品 | 第24-25页 |
| ·PECVD技术制作光学薄膜可行性实验 | 第25-29页 |
| ·工艺过程稳定性实验 | 第25-26页 |
| ·样片试制 | 第26-27页 |
| ·SiO_2薄膜折射率控制实验 | 第27-29页 |
| ·课题研究技术路线 | 第29-31页 |
| 3 PECVD技术工艺参数对薄膜光学材料特性的影响 | 第31-49页 |
| ·PECVD技术对SiO_2薄膜材料光学特性的影响 | 第31-36页 |
| ·工作压强对SiO_2薄膜材料光学特性的影响 | 第31-32页 |
| ·温度对SiO_2薄膜材料光学特性的影响 | 第32页 |
| ·射频功率对SiO_2薄膜材料光学特性的影响 | 第32-33页 |
| ·反应气体对SiO_2薄膜材料光学特性的影响 | 第33-36页 |
| ·PECVD技术对SiN_x薄膜材料光学特性的影响 | 第36-44页 |
| ·工作压强对SiN_x薄膜材料光学特性的影响 | 第36-37页 |
| ·温度对SiN_x薄膜材料特性的影响 | 第37-38页 |
| ·射频功率对SiN_x薄膜材料特性的影响 | 第38-40页 |
| ·反应气体对SiN_x薄膜材料特性的影响 | 第40-44页 |
| ·小结 | 第44页 |
| ·PECVD技术对SiO_xN_y薄膜材料光学特性的影响 | 第44-47页 |
| ·讨论 | 第44-45页 |
| ·反应气体对SiO_xN_y薄膜材料特性的影响 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 4 光学减反膜的理论与设计方法 | 第49-62页 |
| ·基本理论 | 第49-54页 |
| ·渐变折射率薄膜中的波动形式 | 第49-51页 |
| ·薄膜特征矩阵法 | 第51-53页 |
| ·傅立叶变换合成法(Fourier-Transform Synthesis Method) | 第53-54页 |
| ·光学减反膜系设计初探 | 第54-59页 |
| ·渐变折射率薄膜的定义 | 第54-55页 |
| ·梯度折射率薄膜 | 第55-56页 |
| ·梯度折射率薄膜的光学特性分析 | 第56-59页 |
| ·光学减反膜的设计 | 第59-62页 |
| 5 光学减反膜的试制与分析 | 第62-68页 |
| ·G|2HL|A双层减反膜的试制与分析 | 第62-63页 |
| ·G|2H2L2HL|A多层减反膜的试制与分析 | 第63-65页 |
| ·梯度折射率减反膜的试制与分析 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 6 结论 | 第68-70页 |
| ·结论 | 第68页 |
| ·展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
