射频碳化硅E类功率放大器研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·引言	第7-8页
·国内外研究动态	第8-10页
·本文的主要研究工作	第10-11页
第二章 碳化硅MESFET 及E 类功放研究	第11-23页
·碳化硅MESFET 器件与模型研究	第11-14页
·4H-SiC MESFET	第11-13页
·SiC MESFET 模型	第13-14页
·射频功率放大器	第14-21页
·功率放大器指标	第15-17页
·功率放大器分类	第17-18页
·E 类功率放大器	第18-21页
·本章小结	第21-23页
第三章 射频碳化硅E 类功放设计、仿真及制作	第23-39页
·基于碳化硅MESFET 的E 类功率放大器设计	第23-28页
·集总参数负载网络设计	第23-24页
·分布参数负载网络设计	第24-26页
·其他电路设计	第26-28页
·仿真结果及分析	第28-34页
·偏置电压扫描仿真	第28-30页
·扫描输入功率仿真	第30-31页
·扫描频率仿真	第31页
·时域和频域仿真	第31-34页
·输入驻波比	第34页
·功放制作	第34-38页
·本章小结	第38-39页
第四章 E 类工作模式晶体管参数研究	第39-47页
·导通电阻	第39-41页
·漏极电流下降时间	第41-43页
·击穿电压	第43-44页
·漏源电容	第44-45页
·本章小结	第45-47页
第五章 结束语	第47-49页
致谢	第49-51页
参考文献	第51-55页
研究成果	第55-56页