| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·集成电路的发展 | 第10-12页 |
| ·研究高K栅介质材料的意义 | 第12-15页 |
| 第2章 原子层沉积技术 | 第15-25页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·原子层沉积技术的原理 | 第15-21页 |
| ·ALD工艺流程 | 第15-17页 |
| ·ALD前驱体 | 第17-18页 |
| ·ALD的工艺窗口 | 第18-19页 |
| ·ALD自限制生长原理 | 第19页 |
| ·ALD工艺的优越性 | 第19-20页 |
| ·Savannah-100型原子层沉积系统 | 第20-21页 |
| ·原子层沉积技术的应用 | 第21-22页 |
| ·各种薄膜制备技术的比较 | 第22-24页 |
| ·本章总结 | 第24-25页 |
| 第3章 RCA标准清洗工艺 | 第25-27页 |
| ·硅片清洗的重要意义 | 第25页 |
| ·硅片清洗的工艺原理 | 第25页 |
| ·RCA清洗工艺流程 | 第25-27页 |
| 第4章 真空蒸镀 | 第27-29页 |
| 第5章 基于LabVIEW设计的光电致发光测试系统 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·硬件系统 | 第29-32页 |
| ·设备连接 | 第29-30页 |
| ·测量原理 | 第30-32页 |
| ·软件设计 | 第32-35页 |
| ·GPIB通讯 | 第32页 |
| ·ActiveX控件 | 第32页 |
| ·程序结构 | 第32-35页 |
| ·光电测试 | 第35-37页 |
| ·本章总结 | 第37-38页 |
| 第6章 硅衬底上原子层沉积HfO_2薄膜 | 第38-55页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·实验流程 | 第39-42页 |
| ·硅片的RCA清洗 | 第39页 |
| ·原子层沉积HfO_2薄膜 | 第39-41页 |
| ·HfO_2薄膜的高温热处理 | 第41页 |
| ·真空蒸镀铝电极 | 第41-42页 |
| ·薄膜测试原理 | 第42-46页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第42-43页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第43-45页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第45-46页 |
| ·测试结果分析 | 第46-54页 |
| ·AFM测试结果分析 | 第46-49页 |
| ·XPS测试结果分析 | 第49-52页 |
| ·XRD测试结果分析 | 第52页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ测试结果分析 | 第52-54页 |
| ·本章总结 | 第54-55页 |
| 第7章 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·论文总结 | 第55-56页 |
| ·未来展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历 | 第64-65页 |