| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 固态纳米电容的研究现状 | 第8-17页 |
| 1.2.1 静电电容的结构及基本参数 | 第8-9页 |
| 1.2.2 静电电容的储能及功率特性 | 第9-10页 |
| 1.2.3 几种制备固态纳米电容的方法 | 第10-17页 |
| 1.3 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 固态纳米电容制备工艺原理 | 第18-26页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 阳极氧化铝(AAO)模板制备的基本原理及流程 | 第18-22页 |
| 2.2.1 AAO模板制备的基本原理 | 第18-20页 |
| 2.2.2 硅上AAO模板制备的实验流程 | 第20-22页 |
| 2.3 原子层淀积(ALD)的基本原理及工艺窗口 | 第22-25页 |
| 2.3.1 原子层淀积的基本原理 | 第22-24页 |
| 2.3.2 原子层淀积的工艺窗口 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 硅上阳极氧化铝模板的制备工艺研究 | 第26-46页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 一次氧化硅上AAO模板的制备 | 第26-36页 |
| 3.2.1 实验方案 | 第26页 |
| 3.2.2 实验结果及讨论 | 第26-36页 |
| 3.2.2.1 不同铝膜质量对一次氧化硅上AAO模板的影响 | 第26-30页 |
| 3.2.2.2 不同扩孔时间对一次氧化硅上AAO模板的影响 | 第30-34页 |
| 3.2.2.3 不同氧化时间对一次氧化硅上AAO模板的影响 | 第34-36页 |
| 3.3 二次氧化硅上AAO模板的制备 | 第36-44页 |
| 3.3.1 实验方案 | 第36页 |
| 3.3.2 实验结果及讨论 | 第36-44页 |
| 3.3.2.1 不同扩孔时间对两次氧化硅上AAO模板的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2.2 不同氧化时间对两次氧化硅上AAO模板的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.2.3 二次氧化硅上AAO模板黏附性及纳米孔优化 | 第40-43页 |
| 3.3.2.4 二次氧化硅上AAO模板的ALD填充性 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 基于硅上阳极氧化铝模板的固态纳米电容制备和性能表征 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验方案 | 第46-49页 |
| 4.2.1 硅上AAO模板的制备 | 第47-48页 |
| 4.2.2 MIM电容结构的形成 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第49-56页 |
| 4.3.1 纳米电容的结构表征 | 第49-51页 |
| 4.3.2 纳米电容电学特性研究 | 第51-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
