| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 碳纳米材料的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯发现的历程 | 第10-11页 |
| 1.3 石墨烯的结构特点 | 第11-13页 |
| 1.4 石墨烯的制备方法 | 第13-17页 |
| 1.4.1 固相法 | 第13-14页 |
| 1.4.2 液相法 | 第14-15页 |
| 1.4.3 气相法 | 第15-17页 |
| 1.5 石墨烯的性能特点 | 第17-20页 |
| 1.5.1 电学性能 | 第18页 |
| 1.5.2 力学性质 | 第18-19页 |
| 1.5.3 热学性能 | 第19页 |
| 1.5.4 光学性能 | 第19页 |
| 1.5.5 化学性能 | 第19-20页 |
| 1.6 石墨烯在应用方面的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.6.1 石墨烯太阳能电池 | 第20页 |
| 1.6.2 石墨烯/碳纳米管复合薄膜 | 第20-21页 |
| 1.6.3 大面积透明电极 | 第21页 |
| 1.6.4 石墨烯场效应晶体管 | 第21页 |
| 1.6.5 石墨烯储能器件 | 第21-22页 |
| 1.7 本研究的目的、意义以及研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验过程及样品表征 | 第24-38页 |
| 2.1 实验仪器的结构及工作原理 | 第24-30页 |
| 2.1.1 双室磁过滤脉冲真空弧(MEVVA)离子沉积系统 | 第24-26页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜系统 | 第26-27页 |
| 2.1.3 热化学气相沉积(TCVD)管式炉 | 第27-28页 |
| 2.1.4 射频溅射设备 | 第28-29页 |
| 2.1.5 微波等离子体增强CVD(MW-PECVD) | 第29-30页 |
| 2.2 实验过程 | 第30-34页 |
| 2.2.1 碳纳米管阵列的制备 | 第30-33页 |
| 2.2.2 类金刚石(DLC)薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 2.2.3 射频溅射法制备石墨烯及石墨烯/碳纳米管复合结构 | 第34页 |
| 2.2.4 微波等离子体CVD制备石墨烯及石墨烯/碳纳米管复合结构 | 第34页 |
| 2.3 样品表征 | 第34-38页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第35页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第35-36页 |
| 2.3.3 拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第36-38页 |
| 第3章 射频溅射法合成石墨烯 | 第38-50页 |
| 3.1 温度对石墨烯生长的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 功率对石墨烯生长的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 基底表面形态对石墨烯生长的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.1 碳纳米管阵列上石墨烯的合成 | 第41-42页 |
| 3.3.2 平面基底上石墨烯的合成 | 第42-43页 |
| 3.4 石墨烯结构的拉曼光谱分析 | 第43-45页 |
| 3.5 时间对石墨烯生长的影响 | 第45-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 微波等离子体辅助增强CVD法制备石墨烯 | 第50-64页 |
| 4.1 时间对石墨烯生长的影响 | 第50-53页 |
| 4.2 微波功率对石墨烯生长的影响 | 第53-56页 |
| 4.3 加热温度对石墨烯生长的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 碳浓度对石墨烯生长的影响 | 第58-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第5章 无催化合成石墨烯生长机理的研究 | 第64-72页 |
| 5.1 石墨烯的形核 | 第64-67页 |
| 5.2 石墨烯的二维生长 | 第67-69页 |
| 5.3 微波CVD法合成石墨烯的生长机理分析 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第6章 总结 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
