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SiGe HBT低噪声放大器的研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第13-15页
缩略语对照表第15-19页
第一章 绪论第19-25页
    1.1 研究背景和意义第19-20页
    1.2 国内外SiGe HBT噪声的研究进展第20-22页
    1.3 国内外LNA研究进展第22-23页
    1.4 论文研究内容和主要贡献第23-24页
    1.5 论文研究内容与安排第24-25页
第二章 SiGe射频器件噪声模型与分析方法研究第25-45页
    2.1 SiGe HBT工艺研究现状第25-27页
    2.2 SiGe HBT模型分析第27-29页
        2.2.1 晶体管小信号模型建立第27-29页
        2.2.2 SiGe HBT小信号模型第29页
    2.3 噪声分析第29-34页
        2.3.1 噪声基本特性及种类第29-31页
        2.3.2 Hicum晶体管噪声第31-34页
    2.4 双端口及多端口噪声网络分析第34-44页
        2.4.1 双端口网络第34-37页
        2.4.2 三端口噪声网络分析第37-40页
        2.4.3 多端口噪声网络分析第40-44页
    2.5 本章小结第44-45页
第三章 SiGe低噪声放大器关键参数分析第45-71页
    3.1 输入匹配第45-54页
        3.1.1 输入匹配拓扑结构第45-51页
        3.1.2 片上宽带滤波网络设计第51-54页
    3.2 增益平坦性第54-62页
        3.2.1 增益平坦设计结构第54-56页
        3.2.2 片上宽带滤波网络设计第56-62页
    3.3 线性度第62-70页
        3.3.1 SiGe非线性等效模型第62-65页
        3.3.2 SiGe低噪声放大器线性优化设计第65-70页
    3.4 本章小结第70-71页
第四章 超宽带SiGe低噪声放大器设计第71-95页
    4.1 适用于UWB频带下超宽带LNA电路设计第71-85页
        4.1.1 输入匹配第71-76页
        4.1.2 增益平坦第76-79页
        4.1.3 宽带噪声平坦设计第79-83页
        4.1.4 仿真结果分析与讨论第83-85页
    4.2 X,Ku波段的超宽带低噪声放大器设计流程第85-94页
        4.2.1 X,Ku波段电路设计第85-86页
        4.2.2 射频版图优化设计第86-88页
        4.2.3 工艺流程第88页
        4.2.4 电路测试第88-92页
        4.2.5 测试结果讨论第92-94页
    4.3 本章小结第94-95页
第五章 SiGe镜频抑制低噪声放大器设计第95-123页
    5.1 镜频滤波滤波器拓扑结构第95-101页
    5.2 K频带片上陷波滤波SiGe HBT低噪声放大器设计第101-112页
        5.2.1 陷波SiGe LNA第101-102页
        5.2.2 输入匹配第102-104页
        5.2.3 转换增益第104-105页
        5.2.4 输出匹配第105-106页
        5.2.5 陷波滤波器设计第106-110页
        5.2.6 电感方面的考虑第110页
        5.2.7 仿真与讨论第110-112页
    5.3 适用于 802.11a协议的镜像抑制型低噪声放大器设计第112-122页
        5.3.1 IR滤波器研究第112-115页
        5.3.2 IR SiGe LNA匹配设计第115-117页
        5.3.3 IR滤波器尺寸优化设计第117-118页
        5.3.4 IR滤波器的功率与设计优化第118-120页
        5.3.5 仿真与讨论第120-122页
    5.4 本章小结第122-123页
第六章 总结与展望第123-125页
参考文献第125-133页
致谢第133-135页
作者简介第135-137页

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