| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-25页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第19-20页 |
| 1.2 国内外SiGe HBT噪声的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.3 国内外LNA研究进展 | 第22-23页 |
| 1.4 论文研究内容和主要贡献 | 第23-24页 |
| 1.5 论文研究内容与安排 | 第24-25页 |
| 第二章 SiGe射频器件噪声模型与分析方法研究 | 第25-45页 |
| 2.1 SiGe HBT工艺研究现状 | 第25-27页 |
| 2.2 SiGe HBT模型分析 | 第27-29页 |
| 2.2.1 晶体管小信号模型建立 | 第27-29页 |
| 2.2.2 SiGe HBT小信号模型 | 第29页 |
| 2.3 噪声分析 | 第29-34页 |
| 2.3.1 噪声基本特性及种类 | 第29-31页 |
| 2.3.2 Hicum晶体管噪声 | 第31-34页 |
| 2.4 双端口及多端口噪声网络分析 | 第34-44页 |
| 2.4.1 双端口网络 | 第34-37页 |
| 2.4.2 三端口噪声网络分析 | 第37-40页 |
| 2.4.3 多端口噪声网络分析 | 第40-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 SiGe低噪声放大器关键参数分析 | 第45-71页 |
| 3.1 输入匹配 | 第45-54页 |
| 3.1.1 输入匹配拓扑结构 | 第45-51页 |
| 3.1.2 片上宽带滤波网络设计 | 第51-54页 |
| 3.2 增益平坦性 | 第54-62页 |
| 3.2.1 增益平坦设计结构 | 第54-56页 |
| 3.2.2 片上宽带滤波网络设计 | 第56-62页 |
| 3.3 线性度 | 第62-70页 |
| 3.3.1 SiGe非线性等效模型 | 第62-65页 |
| 3.3.2 SiGe低噪声放大器线性优化设计 | 第65-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 超宽带SiGe低噪声放大器设计 | 第71-95页 |
| 4.1 适用于UWB频带下超宽带LNA电路设计 | 第71-85页 |
| 4.1.1 输入匹配 | 第71-76页 |
| 4.1.2 增益平坦 | 第76-79页 |
| 4.1.3 宽带噪声平坦设计 | 第79-83页 |
| 4.1.4 仿真结果分析与讨论 | 第83-85页 |
| 4.2 X,Ku波段的超宽带低噪声放大器设计流程 | 第85-94页 |
| 4.2.1 X,Ku波段电路设计 | 第85-86页 |
| 4.2.2 射频版图优化设计 | 第86-88页 |
| 4.2.3 工艺流程 | 第88页 |
| 4.2.4 电路测试 | 第88-92页 |
| 4.2.5 测试结果讨论 | 第92-94页 |
| 4.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第五章 SiGe镜频抑制低噪声放大器设计 | 第95-123页 |
| 5.1 镜频滤波滤波器拓扑结构 | 第95-101页 |
| 5.2 K频带片上陷波滤波SiGe HBT低噪声放大器设计 | 第101-112页 |
| 5.2.1 陷波SiGe LNA | 第101-102页 |
| 5.2.2 输入匹配 | 第102-104页 |
| 5.2.3 转换增益 | 第104-105页 |
| 5.2.4 输出匹配 | 第105-106页 |
| 5.2.5 陷波滤波器设计 | 第106-110页 |
| 5.2.6 电感方面的考虑 | 第110页 |
| 5.2.7 仿真与讨论 | 第110-112页 |
| 5.3 适用于 802.11a协议的镜像抑制型低噪声放大器设计 | 第112-122页 |
| 5.3.1 IR滤波器研究 | 第112-115页 |
| 5.3.2 IR SiGe LNA匹配设计 | 第115-117页 |
| 5.3.3 IR滤波器尺寸优化设计 | 第117-118页 |
| 5.3.4 IR滤波器的功率与设计优化 | 第118-120页 |
| 5.3.5 仿真与讨论 | 第120-122页 |
| 5.4 本章小结 | 第122-123页 |
| 第六章 总结与展望 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 作者简介 | 第135-137页 |