| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 前言 | 第8-20页 |
| 1.1 场效应生化传感器研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 一维半导体纳米材料晶体管概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 纳米材料的特性 | 第10-12页 |
| 1.2.2 碳纳米管晶体管研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 晶体管性能指标 | 第13-15页 |
| 1.3 纳米线/管场效应生化传感器的关键技术 | 第15-18页 |
| 1.3.1 金属/半导体接触 | 第15-16页 |
| 1.3.2 Zeta电势 | 第16页 |
| 1.3.3 样品对传感器的影响 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 2 一维纳米线/管场效应生化传感器芯片设计 | 第20-37页 |
| 2.1 纳米线/管场效应晶体管生化传感芯片与检测系统设计 | 第20-26页 |
| 2.1.1 微流控芯片 | 第20-21页 |
| 2.1.2 芯片电极及微流道设计 | 第21-25页 |
| 2.1.3 检测系统 | 第25-26页 |
| 2.2 一维纳米场效应晶体管组装方案设计 | 第26-35页 |
| 2.2.1 硅纳米线与碳纳米管的制备 | 第26-32页 |
| 2.2.2 纳米线/管场效应晶体管的组装方法 | 第32-35页 |
| 2.3 介电泳组装原理 | 第35-36页 |
| 2.4 小结 | 第36-37页 |
| 3 硅纳米线场效应晶体管制作工艺研究 | 第37-47页 |
| 3.1 电极制作 | 第37-39页 |
| 3.2 硅纳米线的制备和分散 | 第39-42页 |
| 3.2.1 制备与表征 | 第39-40页 |
| 3.2.2 分散液的制备 | 第40-42页 |
| 3.3 纳米线的介电泳组装 | 第42-43页 |
| 3.4 硅纳米线器件的I-V特性测试 | 第43-46页 |
| 3.5 小结 | 第46-47页 |
| 4 碳纳米管场效应晶体管的制作工艺研究 | 第47-59页 |
| 4.1 电极制作 | 第47-48页 |
| 4.2 半导体性单壁碳纳米管的介电泳组装工艺研究 | 第48-55页 |
| 4.2.1 碳纳米管的获取和表征 | 第49-50页 |
| 4.2.2 碳纳米管的介电泳组装实验 | 第50-51页 |
| 4.2.3 结果分析 | 第51-55页 |
| 4.3 栅压辅助电泳 | 第55-58页 |
| 4.4 小结 | 第58-59页 |
| 5 氧化锌纳米线场效应晶体管的制作工艺及其光电特性研究 | 第59-65页 |
| 5.1 氧化锌场效应生晶体管的介电泳组装工艺研究 | 第59-61页 |
| 5.1.1 氧化锌纳米线的制备 | 第59-60页 |
| 5.1.2 氧化锌纳米线的分散工艺 | 第60页 |
| 5.1.3 组装工艺研究 | 第60-61页 |
| 5.2 氧化锌纳米线光电探测器光电特性研究 | 第61-63页 |
| 5.3 氧化锌纳米线光电探测器性能改善研究 | 第63-64页 |
| 5.3.1 实验过程 | 第63页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第63-64页 |
| 5.4 小结 | 第64-65页 |
| 6 结论 | 第65-66页 |
| 7 展望 | 第66-67页 |
| 8 参考文献 | 第67-74页 |
| 9 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第74-75页 |
| 10 致谢 | 第75页 |