| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 双频预失真技术的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 研究内容和章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 低复杂度的双频记忆多项式模型 | 第15-36页 |
| 2.1 双频预失真技术基本原理 | 第15-18页 |
| 2.2 双频记忆多项式模型 | 第18页 |
| 2.3 低复杂度的双频预失真模型 | 第18-26页 |
| 2.3.1 简化的双频记忆多项式模型 | 第18-19页 |
| 2.3.2 改进的双频记忆多项式模型 | 第19-21页 |
| 2.3.3 基于误差排序截断的双频预失真模型 | 第21-23页 |
| 2.3.4 双频基带等效Volterra级数模型 | 第23-25页 |
| 2.3.5 双频Hammerstein/Wiener预失真模型 | 第25-26页 |
| 2.4 低复杂度双频记忆多项式模型 | 第26-29页 |
| 2.5 低复杂度双频记忆多项式模型的性能验证 | 第29-35页 |
| 2.5.1 基于GaN材质的Doherty功率放大器的性能验证 | 第31-33页 |
| 2.5.2 基于GAN材质宽带F类功率放大器的性能验证 | 第33-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于单上变频单元双频预失真架构的I/Q不平衡补偿模型 | 第36-54页 |
| 3.1 双频预失真系统的实现架构 | 第36-39页 |
| 3.1.1 基于双上变频单元的双频预失真架构 | 第37-38页 |
| 3.1.2 基于单上变频单元的双频预失真架构 | 第38-39页 |
| 3.2 I/Q不平衡失真的成因及其对系统性能的影响 | 第39页 |
| 3.3 基于双上变频单元双频预失真架构的I/Q不平衡补偿模型 | 第39-44页 |
| 3.3.1 基于双频记忆多项式的I/Q不平衡补偿模型 | 第40-41页 |
| 3.3.2 双箱双输入I/Q不平衡补偿模型 | 第41-43页 |
| 3.3.3 基于射线截断的Volterra级数I/Q不平衡补偿模型 | 第43-44页 |
| 3.4 基于单变频单元双频预失真架构I/Q不平衡补偿模型 | 第44-47页 |
| 3.5 基于单变频单元双频预失真架构I/Q不平衡补偿模型的简化 | 第47-49页 |
| 3.6 I/Q不平衡补偿模型及其简化模型的性能验证 | 第49-53页 |
| 3.6.1 非理想条件下的性能验证 | 第50-52页 |
| 3.6.2 理想条件下的性能验证 | 第52-53页 |
| 3.7 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 论文总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 硕士期间发表论文 | 第61页 |
