| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 太阳能级多晶硅生产现状 | 第10-15页 |
| 1.1.1 化学法制备太阳能级多晶硅 | 第10-12页 |
| 1.1.2 冶金法制备太阳能级多晶硅 | 第12页 |
| 1.1.3 湿法酸浸除杂及其现状 | 第12-15页 |
| 1.2 多孔硅概述 | 第15-16页 |
| 1.3 纳米多孔结构在硅基体除杂中的应用研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 粉末多孔硅的制备及研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 化学腐蚀法 | 第18页 |
| 1.4.2 金属热还原法 | 第18-19页 |
| 1.4.3 金属辅助刻蚀法 | 第19-21页 |
| 1.5 本课题研究意义 | 第21-22页 |
| 1.6 主要研究思路及内容 | 第22-24页 |
| 第二章 研究内容和实验方法 | 第24-31页 |
| 2.1 实验材料设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.1.2 实验仪器及设备 | 第25-26页 |
| 2.2 实验方案 | 第26-29页 |
| 2.2.1 冶金级硅中杂质的赋存状态 | 第26-27页 |
| 2.2.2 粉末多孔硅的制备及杂质脱除方法选择 | 第27-28页 |
| 2.2.3 沉积过程工艺条件对杂质脱除的研究 | 第28-29页 |
| 2.2.4 刻蚀过程工艺条件对杂质脱除的研究 | 第29页 |
| 2.3 表征方法 | 第29-31页 |
| 2.3.1 分析检测设备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 硅粉的杂质含量分析 | 第30-31页 |
| 第三章 冶金级硅中杂质的赋存及多孔结构引入方法选择 | 第31-47页 |
| 3.1 硅中金属杂质的赋存状态 | 第31-37页 |
| 3.3 多孔结构的引入及除杂方法的选择 | 第37-46页 |
| 3.3.1 化学腐蚀法制备多孔硅 | 第37-40页 |
| 3.3.2 一步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备粉末多孔硅 | 第40-41页 |
| 3.3.3 两步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备粉末多孔硅 | 第41-46页 |
| 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 沉积过程对多孔结构及杂质脱除的影响 | 第47-60页 |
| 4.1 沉积时间对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第47-50页 |
| 4.2 硝酸银浓度对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第50-53页 |
| 4.3 沉积HF浓度对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第53-56页 |
| 4.4 沉积过程对杂质去除机理初探 | 第56-59页 |
| 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 刻蚀过程对多孔结构及杂质脱除的影响 | 第60-86页 |
| 5.1 刻蚀时间孔结构以及杂质脱除的影响 | 第61-63页 |
| 5.2 刻蚀温度对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第63-66页 |
| 5.3 刻蚀氧化剂浓度对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第66-70页 |
| 5.4 刻蚀HF浓度对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第70-72页 |
| 5.5 刻蚀溶剂对孔结构以及杂质脱除的影响 | 第72-75页 |
| 5.6 刻蚀过程杂质去除机理初探 | 第75-79页 |
| 5.7 硝酸清洗时间的影响 | 第79-81页 |
| 5.8 硝酸清洗浓度的影响 | 第81-82页 |
| 5.9 硝酸清洗过程杂质去除机理初探 | 第82-84页 |
| 本章小结 | 第84-86页 |
| 第六章 结论与展望 | 第86-89页 |
| 6.1 总结 | 第86-88页 |
| 6.2 展望 | 第88页 |
| 6.3 论文新颖之处 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 硕士学位期间的论文发表情况 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
