| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 SnO的基本性质及其应用 | 第11-16页 |
| 1.2.1 SnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SnO的导电机制 | 第12-13页 |
| 1.2.3 SnO电学性质 | 第13-14页 |
| 1.2.4 SnO薄膜的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 SnO薄膜的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3.1 SnO外延薄膜的生长技术研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 SnO薄膜相关性质的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本课题的选题思路及主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 薄膜制备工艺及表征方法 | 第19-33页 |
| 2.1 半导体薄膜的外延生长技术简介 | 第19-21页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第19-20页 |
| 2.1.2 磁控溅射法(MS) | 第20页 |
| 2.1.3 电子束蒸发法(EBE) | 第20-21页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD) | 第21页 |
| 2.2 脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第21-26页 |
| 2.2.1 PLD法概述 | 第21-22页 |
| 2.2.2 PLD原理 | 第22-23页 |
| 2.2.3 PLD的特点 | 第23-24页 |
| 2.2.4 实验所用PLD设备简介 | 第24-26页 |
| 2.3 SnO薄膜的PLD法制备工艺 | 第26-27页 |
| 2.4 SnO薄膜的表征测试方法 | 第27-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) | 第27-29页 |
| 2.4.2 原子力显微镜(AFM) | 第29页 |
| 2.4.3 紫外-可见分光光度计(UV-vis) | 第29-31页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31-32页 |
| 2.4.5 拉曼光谱(Raman) | 第32-33页 |
| 第3章 沉积氧压对SnO薄膜生长的影响 | 第33-47页 |
| 3.1 样品的制备 | 第33-34页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第34-46页 |
| 3.2.1 沉积氧压对薄膜相结构的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.2 沉积氧压对薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.3 不同氧压条件下沉积薄膜的化学价态及价电子结构的表征 | 第37-40页 |
| 3.2.4 不同氧压条件下沉积薄膜的光学性质的表征 | 第40-42页 |
| 3.2.5 SnO外延薄膜的拉曼振动特性研究 | 第42-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 衬底温度对SnO薄膜生长的影响 | 第47-59页 |
| 4.1 样品的制备 | 第47-48页 |
| 4.2 衬底温度对SnO薄膜相结构及性能的影响 | 第48-53页 |
| 4.2.1 衬底温度对薄膜相结构的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.2 衬底温度对沉积SnO薄膜表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.3 衬底温度对沉积SnO薄膜光学性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 中间相相结构的研究 | 第53-58页 |
| 4.3.1 直接沉积的含中间相Sn_xO_y样品的相结构表征 | 第54-56页 |
| 4.3.2 含中间相Sn_xO_y样品原位变温拉曼表征 | 第56-57页 |
| 4.3.3 含中间相Sn)xO_y样品变温拉曼测试后的相结构表征 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 SnO外延薄膜的厚度依赖特性研究 | 第59-69页 |
| 5.1 样品的制备 | 第59-60页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第60-68页 |
| 5.2.1 不同厚度SnO薄膜相结构的表征 | 第60-62页 |
| 5.2.2 薄膜厚度对SnO薄膜晶格常数的影响 | 第62-64页 |
| 5.2.3 不同厚度SnO薄膜的Raman表征 | 第64-65页 |
| 5.2.4 不同厚度SnO薄膜表面形貌的表征 | 第65-66页 |
| 5.2.5 薄膜厚度对SnO薄膜光学带隙的影响 | 第66-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 全文总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 附录 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
