| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-14页 |
| 1.2 IGBT在线监测的研究现状 | 第14-19页 |
| 1.2.1 IGBT常见的失效机制 | 第14-15页 |
| 1.2.2 IGBT故障诊断的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.3 IGBT退化监测的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.4 几个常见的IGBT退化实验简介 | 第18-19页 |
| 1.3 本文主要内容和章节安排 | 第19-20页 |
| 1.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第二章 机理模型的分析和退化指标的提出 | 第22-38页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 IGBT的芯片结构和工作原理 | 第22-24页 |
| 2.2.1 IGBT的芯片结构 | 第22-23页 |
| 2.2.2 IGBT的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.3 IGBT的封装结构和退化机理 | 第24-27页 |
| 2.3.1 IGBT的封装结构 | 第24-25页 |
| 2.3.2 IGBT的退化机理 | 第25-27页 |
| 2.4 IGBT电气模型的建立 | 第27-30页 |
| 2.4.1 集射极饱和压降V_(ce,sat)的机理模型 | 第27页 |
| 2.4.2 通态压降V_(on)的准数值模型 | 第27-29页 |
| 2.4.3 IGBT的电气模型 | 第29-30页 |
| 2.5 IGBT电气模型中的参数解耦 | 第30-37页 |
| 2.5.1 基于公式变换的初步解耦 | 第30-32页 |
| 2.5.2 基于仿真分析的进阶解耦 | 第32-36页 |
| 2.5.3 参数解耦后的IGBT电气模型 | 第36-37页 |
| 2.6 基于电气模型的退化指标的提出 | 第37页 |
| 2.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 结温指标的提出和退化指标的优化 | 第38-48页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 IGBT的温度效应 | 第38-40页 |
| 3.2.1 IGBT的热平衡效应 | 第38-39页 |
| 3.2.2 IGBT的正负温度效应 | 第39-40页 |
| 3.3 仿真分析 | 第40-45页 |
| 3.3.1 结温对退化指标的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 结温指标的提出 | 第43-45页 |
| 3.4 基于在线监测模型的退化指标的优化 | 第45-46页 |
| 3.5 IGBT退化在线监测方案的提出 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 过流冲击实验平台的搭建及实验结果分析 | 第48-62页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 过流冲击实验平台的搭建 | 第48-52页 |
| 4.2.1 硬件部分 | 第48-50页 |
| 4.2.2 软件部分 | 第50页 |
| 4.2.3 LabVIEW采集画面 | 第50-51页 |
| 4.2.4 MATLAB中波形图 | 第51-52页 |
| 4.3 指标提取的数据处理过程 | 第52-54页 |
| 4.4 电压实验 | 第54-55页 |
| 4.4.1 实验目的 | 第54页 |
| 4.4.2 实验条件 | 第54页 |
| 4.4.3 实验结果及分析 | 第54-55页 |
| 4.5 温度实验 | 第55-57页 |
| 4.5.1 实验目的 | 第55页 |
| 4.5.2 实验条件 | 第55页 |
| 4.5.3 实验结果及分析 | 第55-57页 |
| 4.6 退化实验 | 第57-59页 |
| 4.6.1 实验目的 | 第57页 |
| 4.6.2 实验条件 | 第57-58页 |
| 4.6.3 实验结果及分析 | 第58-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第62-63页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间主要的研究成果 | 第68页 |