库仑阻塞效应对量子器件电子输运的影响
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 本文的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 本文的研究内容及意义 | 第12-14页 |
| 第2章 基础知识 | 第14-22页 |
| 2.1 单分子器件 | 第14-16页 |
| 2.2 库仑阻塞效应 | 第16-18页 |
| 2.3 单电子隧穿 | 第18-20页 |
| 2.4 近藤效应 | 第20-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 电子输运的理论方法简介 | 第22-35页 |
| 3.1 前言 | 第22页 |
| 3.2 自洽场方法 | 第22-25页 |
| 3.3 主方程方法 | 第25-26页 |
| 3.4 非平衡格林函数方法 | 第26-30页 |
| 3.5 基于密度泛函的非平衡格林函数方法 | 第30-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 影响库仑阻塞效应的两个重要因素 | 第35-43页 |
| 4.1 前言 | 第35页 |
| 4.2 研究模型和主要方法 | 第35-37页 |
| 4.3 近藤效应对库仑阻塞效应的影响 | 第37-38页 |
| 4.4 库仑阻塞现象的变化 | 第38-40页 |
| 4.5 温度和耦合强度对库仑阻塞效应的影响 | 第40-42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 从库仑阻塞区域到非库仑阻塞区域的过渡 | 第43-51页 |
| 5.1 库仑阻塞效应恰好消失的情况 | 第43-44页 |
| 5.2 从库仑阻塞区域到非库仑阻塞区域的过渡 | 第44-45页 |
| 5.3 不同方法处理库仑阻塞的结果对比 | 第45-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
