| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 硅基锂离子电池负极材料 | 第12页 |
| 1.3 宏微观断裂理论 | 第12-15页 |
| 1.3.1 断裂的分类 | 第13-14页 |
| 1.3.2 裂纹的类型 | 第14页 |
| 1.3.3 能量释放率准则 | 第14-15页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 分子动力学基本原理 | 第18-28页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 分子动力学方法基本原理 | 第18-20页 |
| 2.3 常用势函数介绍 | 第20-23页 |
| 2.4 求解运动方程的常用算法 | 第23-25页 |
| 2.5 积分步长的选择 | 第25-26页 |
| 2.6 边界条件 | 第26页 |
| 2.7 统计系综 | 第26-27页 |
| 2.7.1 正则系综 | 第26页 |
| 2.7.2 微正则系综 | 第26-27页 |
| 2.8 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 硅晶体表面能的计算 | 第28-36页 |
| 3.1 硅的性质 | 第28页 |
| 3.2 硅的晶体结构 | 第28-30页 |
| 3.3 表面能的定义 | 第30-31页 |
| 3.4 硅晶体表面能的计算 | 第31-35页 |
| 3.4.1 硅晶体表面能的计算过程 | 第31-32页 |
| 3.4.2 计算结果与讨论 | 第32-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 硅中裂纹在(111)和(110)面的扩展 | 第36-51页 |
| 4.1 计算模型的建立 | 第36-38页 |
| 4.1.1 (111)面的计算模型 | 第37页 |
| 4.1.2 (110)面的计算模型 | 第37-38页 |
| 4.2 (111)面裂纹扩展结果及讨论 | 第38-45页 |
| 4.2.1 加载速率对硅中裂纹扩展的影响 | 第38-41页 |
| 4.2.2 系统温度对硅中裂纹扩展的影响 | 第41-45页 |
| 4.3 (110)面裂纹扩展计算结果与讨论 | 第45-48页 |
| 4.3.1 加载速率对(110)硅中裂纹扩展的影响 | 第45-48页 |
| 4.4 裂纹在(111)和(110)面的裂纹扩展对比 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 硅中裂纹与位错的相互作用 | 第51-68页 |
| 5.1 位错基本理论 | 第51-53页 |
| 5.1.1 位错的概念 | 第51-52页 |
| 5.1.2 位错的分类 | 第52页 |
| 5.1.3 柏氏矢量 | 第52-53页 |
| 5.2 晶体硅中的部分位错 | 第53-55页 |
| 5.2.1 30°部分位错 | 第54页 |
| 5.2.2 90°部分位错 | 第54-55页 |
| 5.3 模型建立和计算参数设置 | 第55-58页 |
| 5.4 计算结果与讨论 | 第58-66页 |
| 5.4.1 裂纹与重构缺陷的相互作用 | 第58-60页 |
| 5.4.2 硅中裂纹与 30°部分位错的相互作用 | 第60-63页 |
| 5.4.3 硅中裂纹与 90°部分位错的相互作用 | 第63-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |