| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 发光材料 | 第14-21页 |
| 1.1.1 发光材料的组成 | 第14-16页 |
| 1.1.2 影响发光特性的主要因素 | 第16-20页 |
| 1.1.3 解释发光过程常用的主要理论 | 第20-21页 |
| 1.2 实验理论基础 | 第21-26页 |
| 1.2.1 下转换发光机理 | 第22-23页 |
| 1.2.2 上转换发光机理 | 第23-26页 |
| 1.3 钒酸盐纳米晶基质发光材料 | 第26-31页 |
| 1.3.1 钒酸盐基质的发光特性 | 第26-27页 |
| 1.3.2 晶体结构对钒酸盐基质发光性能的影响 | 第27-28页 |
| 1.3.3 国内外研究现状 | 第28-31页 |
| 1.4 本课题研究目的及意义 | 第31-34页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 LnVO_4-BiVO_4固溶体荧光粉的实验设计与研究方法 | 第36-48页 |
| 2.1 连续四方锆石相LnVO_4-BiVO_4固溶体的制备 | 第36-40页 |
| 2.1.1 制备方法 | 第36-37页 |
| 2.1.2 实验所用的仪器、材料及试剂 | 第37-38页 |
| 2.1.3 四方锆石LnVO_4-BiVO_4固溶体荧光粉的合成工艺 | 第38-40页 |
| 2.2 样品结构、性能测试及表征 | 第40-46页 |
| 2.2.1 结构表征 | 第40-42页 |
| 2.2.2 光学特性测试与表征 | 第42-46页 |
| 2.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 Eu_xBi_(1-x)VO_4红色荧光粉的合成及发光特性研究 | 第48-68页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 四方相Eu_xBi_(1-x)VO_4的制备 | 第49-55页 |
| 3.2.1 水热法对Eu_xBi_(1-x)VO_4固溶体合成的影响 | 第50-52页 |
| 3.2.2 沉淀法与水热法结合制备Eu_xBi_(1-x)VO_4固溶体 | 第52-55页 |
| 3.3 Eu_xBi_(1-x)VO_4固溶体光学特性表征及讨论分析 | 第55-61页 |
| 3.3.1 光学吸收 | 第55-56页 |
| 3.3.2 激发光谱 | 第56-58页 |
| 3.3.3 发射光谱 | 第58-61页 |
| 3.4 BiVO_4的电子结构分析 | 第61-65页 |
| 3.4.1 晶格参数 | 第61-62页 |
| 3.4.2 计算方法 | 第62页 |
| 3.4.3 四方相BiVO_4电子结构分析 | 第62-65页 |
| 3.5 四方相Eu_xBi_(1-x)VO_4固溶体的电子结构分析 | 第65-66页 |
| 3.5.1 结构模型和计算方法 | 第65页 |
| 3.5.2 电子结构分析 | 第65-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 固溶体Gd_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Eu~(3+)的发光特性研究 | 第68-82页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 Gd_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Eu~(3+)固溶体发光性质研究 | 第68-80页 |
| 4.2.1 物相分析 | 第68-72页 |
| 4.2.2 吸收光谱和电子结构分析 | 第72-74页 |
| 4.2.3 固溶体Gd_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Eu~(3+)发光特性研究 | 第74-80页 |
| 4.3 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 白光LED用Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)发光性质的研究 | 第82-96页 |
| 5.1 引言 | 第82页 |
| 5.2 Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)的光学性质研究 | 第82-92页 |
| 5.2.1 样品的结构分析 | 第83-85页 |
| 5.2.2 Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)样品的光吸收特性分析 | 第85-87页 |
| 5.2.3 Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)样品的荧光光谱特性分析 | 第87-91页 |
| 5.2.4 Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)样品的能量传递机理分析 | 第91-92页 |
| 5.3 Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)的第一性原理研究 | 第92-94页 |
| 5.3.1 计算方法 | 第92-93页 |
| 5.3.2 Y_xBi_(0.95-x)VO_4:0.05Dy~(3+)电子结构分析 | 第93-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 BiVO_4上转换荧光光谱的设计 | 第96-114页 |
| 6.1 引言 | 第96-98页 |
| 6.2 Yb~(3+)离子敏化BiVO_4纳米晶上转换荧光 | 第98-104页 |
| 6.2.1 BiVO_4:Yb,Er(Tm)纳米晶的形貌和结构表征 | 第98-100页 |
| 6.2.2 BiVO_4:Yb,Er(Tm)纳米晶的上转换机理分析 | 第100-104页 |
| 6.3 YbVO_4-BiVO_4:Tm~(3+)纳米晶紫外上转换荧光 | 第104-112页 |
| 6.3.1 YbVO_4-BiVO_4:Tm~(3+)纳米晶的XRD测试结果及分析 | 第104-106页 |
| 6.3.2 紫外-可见吸收光谱,吸收边移动原理 | 第106-107页 |
| 6.3.3 YbVO_4-BiVO_4:Tm~(3+)纳米晶的上装换发光性质及理论分析 | 第107-112页 |
| 6.4 本章小结 | 第112-114页 |
| 第七章 总结 | 第114-118页 |
| 7.1 结论 | 第114-115页 |
| 7.2 论文创新点 | 第115页 |
| 7.3 展望 | 第115-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-138页 |
| 附录：攻读博士学位期间发表论文及获得奖励 | 第138-139页 |
