摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-33页 |
1.1 半导体气体传感器概述 | 第10-14页 |
1.1.1 国内外半导体气体传感器研究现状 | 第10-11页 |
1.1.2 金属氧化物半导体气敏机理 | 第11-14页 |
1.2 SnO_2气敏性能概述 | 第14-22页 |
1.2.1 纳米SnO_2的制备及气敏性能 | 第14-16页 |
1.2.2 掺杂法SnO_2基气敏材料的制备及性能 | 第16-21页 |
1.2.3 总结 | 第21-22页 |
1.3 WO_3气敏性能概述 | 第22-26页 |
1.3.1 纳米WO_3气敏材料的制备与性能 | 第22-24页 |
1.3.2 掺杂改性WO_3气敏性能概述 | 第24-26页 |
1.3.3 总结 | 第26页 |
1.4 有机半导体气敏材料与碳材料的气敏性 | 第26-31页 |
1.4.1 有机半导体气敏材料 | 第26-30页 |
1.4.2 碳材料 | 第30-31页 |
1.5 本文的选题依据 | 第31-33页 |
第二章 酞菁铜改性气敏膜的制备与性能检测 | 第33-51页 |
2.1 CuPc/SnO_2气敏薄膜的制备与性能检测 | 第33-43页 |
2.1.1 前言 | 第33-34页 |
2.1.2 实验过程 | 第34-36页 |
2.1.3 结果与讨论 | 第36-43页 |
2.2 CuPc/WO_3气敏膜的制备与性能检测 | 第43-51页 |
2.2.1 前言 | 第43-44页 |
2.2.2 实验材料和方法 | 第44-45页 |
2.2.3 结果与讨论 | 第45-51页 |
第三章 PVDF-Pd-SnO_2气敏膜制备与性能检测 | 第51-57页 |
3.1 前言 | 第51-52页 |
3.2 材料制备与检测方法 | 第52页 |
3.3 实验结果 | 第52-55页 |
3.4 结果与机理讨论 | 第55-57页 |
结论 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71-72页 |