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金属氧化物半导体气敏膜的制备与修饰

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-33页
    1.1 半导体气体传感器概述第10-14页
        1.1.1 国内外半导体气体传感器研究现状第10-11页
        1.1.2 金属氧化物半导体气敏机理第11-14页
    1.2 SnO_2气敏性能概述第14-22页
        1.2.1 纳米SnO_2的制备及气敏性能第14-16页
        1.2.2 掺杂法SnO_2基气敏材料的制备及性能第16-21页
        1.2.3 总结第21-22页
    1.3 WO_3气敏性能概述第22-26页
        1.3.1 纳米WO_3气敏材料的制备与性能第22-24页
        1.3.2 掺杂改性WO_3气敏性能概述第24-26页
        1.3.3 总结第26页
    1.4 有机半导体气敏材料与碳材料的气敏性第26-31页
        1.4.1 有机半导体气敏材料第26-30页
        1.4.2 碳材料第30-31页
    1.5 本文的选题依据第31-33页
第二章 酞菁铜改性气敏膜的制备与性能检测第33-51页
    2.1 CuPc/SnO_2气敏薄膜的制备与性能检测第33-43页
        2.1.1 前言第33-34页
        2.1.2 实验过程第34-36页
        2.1.3 结果与讨论第36-43页
    2.2 CuPc/WO_3气敏膜的制备与性能检测第43-51页
        2.2.1 前言第43-44页
        2.2.2 实验材料和方法第44-45页
        2.2.3 结果与讨论第45-51页
第三章 PVDF-Pd-SnO_2气敏膜制备与性能检测第51-57页
    3.1 前言第51-52页
    3.2 材料制备与检测方法第52页
    3.3 实验结果第52-55页
    3.4 结果与机理讨论第55-57页
结论第57-59页
参考文献第59-69页
致谢第69-71页
攻读学位期间发表的学术论文目录第71-72页

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