| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第11-20页 |
| 1.2.1 纳米材料的特殊性质 | 第11-14页 |
| 1.2.2 一维纳米材料的性质 | 第14-19页 |
| 1.2.3 纳米材料的表征 | 第19-20页 |
| 1.3 硒化合物材料概述 | 第20-31页 |
| 1.3.1 硒化合物材料的性质 | 第20-25页 |
| 1.3.2 硒化合物材料的合成 | 第25-31页 |
| 1.4 本论文的研究背景及主要工作 | 第31-34页 |
| 2 实验方法与测试 | 第34-42页 |
| 2.1 材料合成方法 | 第34-38页 |
| 2.1.1 实验材料与试剂 | 第34页 |
| 2.1.2 复合碱媒介法 | 第34-36页 |
| 2.1.3 复合熔融盐法 | 第36-38页 |
| 2.1.4 溶剂热法 | 第38页 |
| 2.2 实验内容 | 第38页 |
| 2.3 材料制备仪器与测试装置 | 第38-42页 |
| 2.3.1 材料制备设备 | 第38-39页 |
| 2.3.2 材料表征仪器 | 第39页 |
| 2.3.3 性质测试装置 | 第39-42页 |
| 3 CdSe 纳米棒与微米线的制备及光敏性质研究 | 第42-64页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 CdSe 纳米棒的制备 | 第43-46页 |
| 3.2.1 CdSe 纳米棒的制备 | 第43-44页 |
| 3.2.2 CdSe 纳米棒的表征 | 第44-46页 |
| 3.2.3 CdSe 纳米棒生长机理分析 | 第46页 |
| 3.3 CdSe 微米线的制备 | 第46-51页 |
| 3.3.1 CdSe 微米线的制备 | 第46-47页 |
| 3.3.2 CdSe 微米线的表征 | 第47-50页 |
| 3.3.3 CdSe 微米线生长机理分析 | 第50-51页 |
| 3.4 CdSe 纳米棒的光敏性质 | 第51-57页 |
| 3.4.1 CdSe 纳米棒电极的制作 | 第51-52页 |
| 3.4.2 CdSe 纳米棒的光敏性质研究 | 第52-56页 |
| 3.4.3 温度对光敏器件的影响 | 第56页 |
| 3.4.4 CdSe 纳米棒光敏机理分析 | 第56-57页 |
| 3.5 单根 CdSe 微米线的光敏性质 | 第57-62页 |
| 3.5.1 单根 CdSe 微米线电极的制作 | 第57页 |
| 3.5.2 单根 CdSe 微米线的光敏性质研究 | 第57-60页 |
| 3.5.3 不同直径 CdSe 微米线的光敏对比 | 第60-61页 |
| 3.5.4 CdSe 微米线薄膜的光敏性质 | 第61-62页 |
| 3.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 4 Bi_2O_2Se 纳米片的制备及热电性质研究 | 第64-74页 |
| 4.1 引言 | 第64-66页 |
| 4.2 Bi_2O_2Se 纳米片的制备 | 第66-69页 |
| 4.2.1 Bi_2O_2Se 纳米片的制备 | 第66-67页 |
| 4.2.2 Bi_2O_2Se 纳米片的表征 | 第67-69页 |
| 4.2.3 Bi_2O_2Se 纳米片生长机理分析 | 第69页 |
| 4.3 Bi_2O_2Se 纳米片的热电性质 | 第69-73页 |
| 4.3.1 Bi_2O_2Se 薄膜电极的制作及测试方式 | 第69-70页 |
| 4.3.2 Bi_2O_2Se 薄膜电极的热电性能测试及分析 | 第70-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 5 KCu_4Se_8纳米线的制备及超级电容器性质研究 | 第74-94页 |
| 5.1 引言 | 第74-75页 |
| 5.2 超级电容器简介 | 第75-79页 |
| 5.2.1 超级电容器的原理 | 第75-77页 |
| 5.2.2 超级电容器的分类 | 第77页 |
| 5.2.3 超级电容器的特点 | 第77-78页 |
| 5.2.4 超级电容器电极材料 | 第78-79页 |
| 5.3 KCu_4Se_8纳米线的制备 | 第79-82页 |
| 5.3.1 KCu_4Se_8纳米线的制备 | 第79-80页 |
| 5.3.2 KCu_4Se_8纳米线的表征 | 第80-82页 |
| 5.3.3 KCu_4Se_8纳米线生长机理分析 | 第82页 |
| 5.4 KCu_4Se_8结构的确定 | 第82-84页 |
| 5.4.1 旋转电子衍射技术 | 第82页 |
| 5.4.2 结果分析 | 第82-84页 |
| 5.5 KCu_4Se_8纳米线超级电容器的组装与测试方法 | 第84-86页 |
| 5.5.1 KCu_4Se_8电极的制作 | 第84页 |
| 5.5.2 KCu_4Se_8超级电容器的组装 | 第84-85页 |
| 5.5.3 KCu_4Se_8纳米线超级电容器的测试方法 | 第85-86页 |
| 5.6 KCu_4Se_8纳米线的超级电容器性质 | 第86-90页 |
| 5.6.1 不同制作条件的电容器性质对比 | 第86-88页 |
| 5.6.2 最佳条件下电容器的性质研究 | 第88-90页 |
| 5.7 V_2O_5/KCu_4Se_8复合超级电容器性质 | 第90-92页 |
| 5.7.1 V_2O_5/KCu_4Se_8电极的制作及电容器的组装 | 第90-91页 |
| 5.7.2 V_2O_5/KCu_4Se_8超级电容器性能研究 | 第91-92页 |
| 5.8 本章小结 | 第92-94页 |
| 6 结论与展望 | 第94-98页 |
| 6.1 主要结论 | 第94-95页 |
| 6.2 展望 | 第95-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-120页 |
| 附录 | 第120-121页 |
| A. 作者在攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第120-121页 |
| B. 作者在攻读博士期间参加的科研项目及获奖情况 | 第121页 |
