Cu(Ti)和Cu(Cr)合金薄膜的制备及性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 集成电路后段金属互连线的发展 | 第10-12页 |
| 1.2 铜互连的缺点以及合金化思想的提出 | 第12-16页 |
| 1.2.1 铜互连的缺点 | 第12-13页 |
| 1.2.2 铜合金化思想的提出 | 第13-14页 |
| 1.2.3 铜合金元素的选择 | 第14-16页 |
| 1.3 研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 制备工艺及分析方法 | 第19-28页 |
| 2.1 实验流程 | 第19-20页 |
| 2.2 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.3 样品制备与处理 | 第21-23页 |
| 2.3.1 基片准备 | 第21页 |
| 2.3.2 薄膜制备 | 第21-23页 |
| 2.3.3 退火处理 | 第23页 |
| 2.4 分析方法 | 第23-28页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第23-24页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱分析 | 第25页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.4.5 四探针 | 第26-27页 |
| 2.4.6 漏电流分析 | 第27-28页 |
| 第3章 Cu(Ti)薄膜热稳定性与电学性能分析 | 第28-45页 |
| 3.1 XRD测试结果分析 | 第28-31页 |
| 3.2 SEM表面形貌分析 | 第31-36页 |
| 3.3 XPS浓度深度分析与界面化学键分析 | 第36-39页 |
| 3.3.1 XPS浓度深度分析 | 第36-37页 |
| 3.3.2 界面化学键分析 | 第37-39页 |
| 3.4 TEM截面分析 | 第39-40页 |
| 3.5 四探针电阻率分析 | 第40-41页 |
| 3.6 漏电流分析 | 第41-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 Cu(Cr)薄膜热稳定性与电学性能分析 | 第45-56页 |
| 4.1 XRD测试结果分析 | 第45-47页 |
| 4.2 SEM表面形貌分析 | 第47-50页 |
| 4.3 XPS浓度深度分析与界面化学键分析 | 第50-52页 |
| 4.3.1 XPS浓度深度分析 | 第50-51页 |
| 4.3.2 界面化学键分析 | 第51-52页 |
| 4.4 TEM截面分析 | 第52-53页 |
| 4.5 四探针电阻率分析 | 第53-54页 |
| 4.6 漏电流分析 | 第54-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
