| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1. 引言 | 第9-10页 |
| 1.2. 锰氧化物的研究背景 | 第10-13页 |
| 1.2.1. 早期研究 | 第10-11页 |
| 1.2.2. 近期研究 | 第11-13页 |
| 1.3. 锰氧化物晶体及电子结构 | 第13-16页 |
| 1.3.1. 晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.3.2. 电子结构与 Jahn-Teller 效应 | 第15-16页 |
| 1.4. 锰氧化物体系重要物理性质 | 第16-18页 |
| 1.4.1. 磁电阻效应 | 第16-17页 |
| 1.4.2. 金属绝缘体转变 | 第17页 |
| 1.4.3. 锰氧化物的场效应 | 第17-18页 |
| 1.5. 锰氧化物异质结及其研究进展 | 第18-22页 |
| 1.6. 论文选题思路及主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 样品制备及其测量方法 | 第23-31页 |
| 2.1. 制备样品 | 第23-28页 |
| 2.1.1. 靶材制备 | 第23-24页 |
| 2.1.2. 脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）技术制备薄膜 | 第24-28页 |
| 2.1.2.1. 脉冲激光沉积技术介绍 | 第24-27页 |
| 2.1.2.2. 薄膜制备详细过程及工艺参数 | 第27-28页 |
| 2.2. 样品表征及测量 | 第28-30页 |
| 2.2.1. X 射线衍射分析 | 第28-29页 |
| 2.2.2. 透射电子显微镜分析 | 第29-30页 |
| 2.2.3. 电学性能测量 | 第30页 |
| 2.3. 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 锰氧化物基 P-N 异质结界面势垒研究 | 第31-43页 |
| 3.1. 研究背景 | 第31-32页 |
| 3.1.1. 界面势垒高度的研究 | 第31页 |
| 3.1.2. 界面势垒对物理性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.2. 样品制备及结构表征 | 第32-33页 |
| 3.3. 锰氧化物 p-n 异质结的整流特性及界面势垒的定量分析 | 第33-40页 |
| 3.3.1. LCMO/STON 异质结整流特性 | 第33-34页 |
| 3.3.2. 利用活化能确定异质结界面势垒 | 第34-38页 |
| 3.3.3. 分析 J-V 曲线获得界面势垒 | 第38-40页 |
| 3.4. LCMO/STON p-n 异质结能带结构 | 第40-42页 |
| 3.5. 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 锰氧化物 p-n 异质结界面电阻负温度系数特性 | 第43-48页 |
| 4.1. 引言 | 第43-44页 |
| 4.2. 锰氧化物异质结界面电阻负温度系数特性 | 第44-46页 |
| 4.3. 结果讨论 | 第46-47页 |
| 4.4. 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55-56页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第56页 |
