| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 共时双频预失真技术研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 共时双频数字预失真结构研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 共时双频数字预失真模型研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要研究内容和章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 共时双频数字预失真关键技术 | 第14-30页 |
| 2.1 数字预失真基本原理 | 第14-15页 |
| 2.2 双频非线性失真分类 | 第15-16页 |
| 2.3 2D-DPD结构 | 第16-17页 |
| 2.4 共时双频数字预失真行为模型 | 第17-27页 |
| 2.4.1 2D-DPD模型 | 第17-18页 |
| 2.4.2 低复杂度的2D-DPD模型 | 第18-19页 |
| 2.4.3 考虑I/Q不平衡的2D-DPD模型 | 第19-20页 |
| 2.4.4 2D-MMP模型 | 第20-22页 |
| 2.4.5 2D-Hammerstein/Wiener模型 | 第22-24页 |
| 2.4.6 2D-AH模型 | 第24-25页 |
| 2.4.7 2D-LUT模型 | 第25页 |
| 2.4.8 具有可变深度的2D-LUT模型 | 第25-26页 |
| 2.4.9 双输入双箱模型 | 第26-27页 |
| 2.5 双频行为模型准确度及预失真效果的评价指标 | 第27-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 单上变频单元共时双频数字预失真结构 | 第30-36页 |
| 3.1 单上变频单元共时双频数字预失真结构框图 | 第30-31页 |
| 3.2 单上变频单元共时双频数字预失真结构的优缺点 | 第31-35页 |
| 3.2.1 结构复杂度对比 | 第31-33页 |
| 3.2.2 ADC与DAC的采样率对比 | 第33-34页 |
| 3.2.3 单上变频单元共时双频数字预失真结构的优缺点 | 第34页 |
| 3.2.4 单上变频单元共时双频数字预失真结构适用范围 | 第34-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 DB-DDR模型和SDB-DDR模型建模及预失真 | 第36-48页 |
| 4.1 DDR模型简介 | 第36-37页 |
| 4.2 DB-DDR模型的提出 | 第37-38页 |
| 4.3 SDB-DDR模型的提出 | 第38-39页 |
| 4.4 DB-DDR模型和SDB-DDR模型系数的提取 | 第39-40页 |
| 4.5 模型计算复杂度比较 | 第40-41页 |
| 4.6 DB-DDR模型和SDB-DDR模型性能验证 | 第41-47页 |
| 4.6.1 GaN材质的F类功率放大器 | 第43-45页 |
| 4.6.2 GaN材质的Doherty功率放大器 | 第45-47页 |
| 4.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 DB-TLBMP模型建模及预失真 | 第48-59页 |
| 5.1 TLBMP模型简介 | 第48-50页 |
| 5.2 DB-TLBMP模型的提出 | 第50-51页 |
| 5.3 DB-TLBMP模型性能验证 | 第51-57页 |
| 5.3.1 DB-TLBMP模型和TLBMP模型测试平台 | 第51-52页 |
| 5.3.2 DB-TLBMP模型和TLBMP模型测试结果 | 第52-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 论文总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65-68页 |
| 附录1：2D-DPD模型推导 | 第65-66页 |
| 附录2：DB-DDR模型推导 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69页 |
