| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 多维碳纳米材料 | 第16-17页 |
| 1.2 石墨烯的结构与电学性质 | 第17-21页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第17-18页 |
| 1.2.2 石墨烯的电子能带结构 | 第18-19页 |
| 1.2.3 石墨烯纳米结构的电子性质 | 第19-20页 |
| 1.2.4 二维电子气特性 | 第20-21页 |
| 1.3 石墨烯材料的应用 | 第21-22页 |
| 1.3.1 石墨烯储能器件 | 第21页 |
| 1.3.2 石墨烯场效应晶体管 | 第21-22页 |
| 1.3.3 石墨烯光学器件 | 第22页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 石墨烯的制备工艺和相关表征技术 | 第24-34页 |
| 2.1 石墨烯的制备 | 第24-27页 |
| 2.1.1 微机械剥离法 | 第24-25页 |
| 2.1.2 氧化石墨-还原法 | 第25页 |
| 2.1.3 化学气相淀积法 | 第25-27页 |
| 2.1.4 碳化硅衬底外延石墨烯法 | 第27页 |
| 2.2 石墨烯的结构表征技术 | 第27-31页 |
| 2.2.1 扫描隧道显微镜（Scanning Tunneling Microscopy，STM） | 第27-29页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（Atomic Force Microscope，AFM） | 第29页 |
| 2.2.3 拉曼光谱（Raman Spectroscopy） | 第29-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-34页 |
| 第三章 外延生长石墨烯机理及衬底预处理 | 第34-44页 |
| 3.1 碳化硅外延石墨烯的生长机制 | 第34-38页 |
| 3.1.1 碳化硅的结构和性质 | 第34-35页 |
| 3.1.2 外延生长石墨烯机理 | 第35-38页 |
| 3.2 碳化硅衬底预处理 | 第38-40页 |
| 3.2.1 标准RCA清洗 | 第38-39页 |
| 3.2.2 氢刻蚀处理 | 第39-40页 |
| 3.3 工艺流程及版图 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 温度对外延生长的影响及石墨烯的表征 | 第44-52页 |
| 4.1 不同温度对石墨烯生长的影响 | 第44-48页 |
| 4.1.1 生长前的衬底处理 | 第44-45页 |
| 4.1.2 温度对外延石墨烯的影响 | 第45页 |
| 4.1.3 结构形貌分析 | 第45-47页 |
| 4.1.4 Raman光谱分析 | 第47-48页 |
| 4.2 石墨烯的电子输运性质 | 第48-51页 |
| 4.2.1 迁移率对器件性能的影响 | 第49页 |
| 4.2.2 表征石墨烯迁移率的电学结构[33] | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论和展望 | 第52-56页 |
| 5.1 研究结论 | 第52-53页 |
| 5.2 研究展望 | 第53-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 作者简介 | 第62-63页 |
