| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 PMMA/SiO_2纳米复合材料 | 第9-16页 |
| 1.2.1 纳米材料的结构和性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 纳米SiO_2的性质和表面改性方法 | 第10-12页 |
| 1.2.3 PMMA的性质和改性方法 | 第12-14页 |
| 1.2.4 PMMA/SiO_2纳米复合材料的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3 静电相互作用在复合材料中的应用 | 第16-17页 |
| 1.4 阳离子单体 | 第17-20页 |
| 1.4.1 阳离子单体的结构与性质 | 第17-18页 |
| 1.4.2 阳离子表面活性单体的应用 | 第18-20页 |
| 1.5 本论文的研究目的和意义 | 第20-22页 |
| 第二章 阳离子单体的结构对PMMA/SiO_2纳米复合材料的影响 | 第22-39页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验部分 | 第22-25页 |
| 2.2.1 主要原料及仪器设备 | 第22-24页 |
| 2.2.2 阳离子单体C12MEDAB的合成 | 第24页 |
| 2.2.3 MMA的提纯 | 第24页 |
| 2.2.4 PMMA/SiO_2微球的制备 | 第24页 |
| 2.2.5 PMMA/SiO_2微球的抽提 | 第24-25页 |
| 2.2.6 力学试样的制备 | 第25页 |
| 2.3 表征与测试 | 第25-26页 |
| 2.3.1 ~1H液体核磁分析（~1H-NMR） | 第25页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第25页 |
| 2.3.3 傅里叶变换红外光谱分析（FTIR） | 第25页 |
| 2.3.4 复合材料的超薄切片透射电子显微镜分析（TEM） | 第25-26页 |
| 2.3.5 凝胶渗透色谱分析（GPC） | 第26页 |
| 2.3.6 力学性能测试 | 第26页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第26-37页 |
| 2.4.1 阳离子单体的结构对SiO_2的分散及界面相互作用原理的阐释 | 第26-27页 |
| 2.4.2 C_(12)MEDAB的结构以及辅助分子的加入对纳米复合微球形貌和分子量的影响 | 第27-31页 |
| 2.4.3 SiO_2与基体的界面相互作用以及分散性表征 | 第31-33页 |
| 2.4.4 复合材料力学性能表征 | 第33-36页 |
| 2.4.5 复合材料的断口扫描分析 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 阳离子单体的烷基链长对PMMA/SiO_2纳米复合材料的影响 | 第39-59页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-41页 |
| 3.2.1 主要原料及仪器设备 | 第40页 |
| 3.2.2 阳离子单体的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.3 MMA的提纯 | 第41页 |
| 3.2.4 PMMA/SiO_2微球的制备 | 第41页 |
| 3.2.5 PMMA/SiO_2微球的抽提 | 第41页 |
| 3.2.6 力学试样的制备 | 第41页 |
| 3.3 表征与测试 | 第41-42页 |
| 3.3.1 ~1H液体核磁分析（~1H-NMR） | 第41页 |
| 3.3.2 纳米SiO_2透射电子显微镜分析（TEM） | 第41-42页 |
| 3.3.3 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第42页 |
| 3.3.4 傅里叶变换红外光谱分析（FTIR） | 第42页 |
| 3.3.5 复合材料的超薄切片透射电子显微镜分析（TEM） | 第42页 |
| 3.3.6 凝胶渗透色谱分析（GPC） | 第42页 |
| 3.3.7 力学性能测试 | 第42页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第42-58页 |
| 3.4.1 阳离子单体的烷基链长对SiO_2分散及界面相互作用原理的阐述 | 第42-43页 |
| 3.4.2 阳离子单体的结构以及其对SiO_2分散的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.3 阳离子单体的结构对微球形貌和分子量的影响 | 第46-50页 |
| 3.4.4 SiO_2与基体界面相互作用以及其分散性的表征 | 第50-52页 |
| 3.4.5 复合材料力学性能表征 | 第52-56页 |
| 3.4.6 拉伸断口形貌分析 | 第56-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 全文结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
